Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET
提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻,使電池儲能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計更加簡化,性能得到提升。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202411/464932.htmLittelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET。
這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展,有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值,設(shè)計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件,從而簡化設(shè)計流程,提高應(yīng)用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅固穩(wěn)定。
這些新的200V MOSFET提供最低的導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)并補(bǔ)充了現(xiàn)有的Littelfuse X4-Class超級結(jié)系列產(chǎn)品組合。與當(dāng)下最先進(jìn)的X4-Class MOSFET解決方案相比,這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍,導(dǎo)通電阻值最高可降低約63%。
新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導(dǎo)通損耗的一系列低壓功率應(yīng)用,包括:
● 電池儲能系統(tǒng)(BESS)
● 電池充電器
● 電池成型
● DC/電池負(fù)載開關(guān),以及
● 電源
“新器件將允許設(shè)計人員用一個器件解決方案取代多個并聯(lián)的低額定電流器件。”Littelfuse全球產(chǎn)品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示, “這種獨(dú)特的解決方案簡化了柵極驅(qū)動器設(shè)計,提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空間利用率。”
超級結(jié)X4級功率MOSFET具有以下主要性能優(yōu)勢:
● 低傳導(dǎo)損耗
● 最少的并行連接工作量
● 驅(qū)動器設(shè)計簡化,驅(qū)動器損耗最小
● 簡化的熱設(shè)計
● 功率密度增加
為什么對于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說具有低導(dǎo)通電阻的MOSFET是首選?
對于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來說,具有低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗,從而降低傳導(dǎo)損耗,提高效率,并減少發(fā)熱。因此,它們非常適合電源、電機(jī)驅(qū)動器和電池供電設(shè)備等功率敏感型應(yīng)用,在這些應(yīng)用中,保持高效率和熱管理至關(guān)重要。
性能指標(biāo)
性能指標(biāo) | IXTN500N20X4 | IXTN400N20X4 |
封裝 | 氮化鋁陶瓷基隔離SOT-227B | |
通態(tài)電阻 | RDS(on) =1.99m? @Tvj = 25°C | RDS(on)=3m? @ Tvj = 25°C |
高標(biāo)稱額定電流 | 500A @ TC = 25°C | 340A@TC=25°C |
柵極電荷 | Qg = 535nC | Qg = 348nC |
熱阻 | RthJC = 0.13K/W | RthJC = 0.18K/W |
供貨情況
超級結(jié)X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨??赏ㄟ^Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。
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