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閂鎖效應(yīng)
閂鎖效應(yīng) 文章 進(jìn)入閂鎖效應(yīng)技術(shù)社區(qū)
功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認(rèn)是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析，對(duì)IGBT失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過(guò)對(duì)IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測(cè)、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測(cè)對(duì)比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
一種非對(duì)稱雙向可控硅靜電防護(hù)器件的設(shè)計(jì)*
- 非對(duì)稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)之后，為使I-V特性曲線對(duì)稱而設(shè)計(jì)的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設(shè)計(jì)維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號(hào)端口的靜電保護(hù)。
- 關(guān)鍵字： 202107 非對(duì)稱可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應(yīng)
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閂鎖效應(yīng)介紹
目錄
1 簡(jiǎn)介
2 原理分析
簡(jiǎn)介
閂鎖效應(yīng)是CMOS工藝所特有的寄生效應(yīng)，嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致電路的失效，甚至燒毀芯片。閂鎖效應(yīng)是由NMOS的有源區(qū)、P襯底、N阱、PMOS的有源區(qū)構(gòu)成的n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的，當(dāng)其中一個(gè)三極管正偏時(shí)，就會(huì)構(gòu)成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極管不會(huì)處于正偏狀態(tài)。 靜電是一種看不見(jiàn)的破壞力，會(huì)對(duì)電子元器件 [ 查看詳細(xì) ]
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