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1250V！PI PowiGaN?提升GaN開(kāi)關(guān)耐壓上限

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復(fù)雜的SiC，GaN的生成工藝相對(duì)成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)開(kāi)關(guān)功率應(yīng)用。當(dāng)然，相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場(chǎng)占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開(kāi)關(guān)的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開(kāi)關(guān)的應(yīng)用填補(bǔ)了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過(guò)60個(gè)的市場(chǎng)應(yīng)用中
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深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開(kāi)關(guān)技術(shù)。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能，并且提供豐富的開(kāi)關(guān)選項(xiàng)，包括725V硅開(kāi)關(guān)、1700V碳化硅開(kāi)關(guān)以及其它衍生出
關(guān)鍵字： Power Integrations 1250V 氮化鎵開(kāi)關(guān)IC

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