14nm 文章 進(jìn)入14nm技術(shù)社區(qū)
GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎?
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場(chǎng)營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對(duì)有關(guān)問題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級(jí)的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點(diǎn)的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實(shí)現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 Noonen表示：“201
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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線
- 核心提示：英特爾于2009年關(guān)閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠，將當(dāng)?shù)鼐A廠的數(shù)量減少至三個(gè)，分別為Fab10,24和24-2。2011年1月，英特爾花費(fèi)約五億美元重建Fab14舊廠，但當(dāng)時(shí)并未說明翻新這座晶圓廠的詳細(xì)規(guī)劃。 英特爾日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計(jì)劃。據(jù)表示，總投資金額將超過十億美元。 英特爾CEO PaulOtellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進(jìn)制程的藍(lán)圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這些晶圓廠包括了位在美國奧勒岡州的D1X晶圓廠
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偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束，我們正在跨入一個(gè)情勢(shì)高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。 1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延長到了三年左右。2009年，45/40nm晶圓占代工廠營收比重僅10%;而2012年第四季，32/28nm占代工廠營收比重也是10%。 2.在32nm量產(chǎn)2年多以后，22nm的FinFET才宣布將邁入量產(chǎn)。FinFET是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的技術(shù)。英特爾在這方面的研究相當(dāng)卓越，但仍需克服
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14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？
- 盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。 近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功，業(yè)界開始有了擔(dān)憂。 據(jù)摩爾定律所說，集成在同一芯片上的晶體管數(shù)量大約每兩年增加一倍，同時(shí)相同大小的芯片將具有雙倍的性能。一旦達(dá)到14nm的制程，將極其接近硅晶體的理論極限數(shù)字(大約為9nm到11nm)。 盡管英特爾
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臺(tái)積電：14nm制程節(jié)點(diǎn)將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)
- 據(jù)參加了比利時(shí)微納米電子技術(shù)研究機(jī)構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露，與會(huì)的各家半導(dǎo)體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計(jì)劃。 其中來自半導(dǎo)體代工巨頭臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義在會(huì)上發(fā)言稱，臺(tái)積電公司已經(jīng)決定在14nm制程節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。 蔣尚義表示：“經(jīng)過研究，我們決定在14nm制程節(jié)點(diǎn)放棄使用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)而采用能更好控制溝道性能的垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。&rdq
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