- 據(jù)英特爾的首席財政官 Stacy Smith 在一次新聞發(fā)布會上討論公司的第一季度財務情況時稱，英特爾的22nm制造工藝技術的FinFET晶體管將占英特爾半導體第二季度出貨量的25%。
自從英特爾研發(fā)了用于臺式機和筆記本的 Ivy Bridge 處理器，英特爾就顯現(xiàn)了沖擊大容量的勢頭，盡管英特爾還未正式推出Ivy Bridge 處理器。Ivy Bridge 處理器相比較之前的 Sandy Bridge 處理器，尺寸從32nm減小到22nm。
這也表明了英特爾的一貫做法----等到它的一線客
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英特爾 22nm
- 日前英特爾宣布Netronome為其第三家代工客戶，此前Achronix及Tabula先后宣布會采用Intel的22nmFINFET制程。
同以上兩家FPGA客戶不同，Netronome是一家網絡處理器公司，而且與Intel有著千絲萬縷的關聯(lián)。2007年11月，Intel將IXP2800網絡處理器產品線的開發(fā)授權給了Netronome，根據(jù)相關協(xié)議，由Netronome繼續(xù)開發(fā)基于IXP2800架構的網絡處理器NFP3200。
根據(jù)協(xié)議，Netronome也可以使用英特爾的EDA設計工具。
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英特爾 22nm
- 日前英特爾宣布Netronome為其第三家代工客戶，此前Achronix及Tabula先后宣布會采用Intel的22nm FINFET制程。
同以上兩家FPGA客戶不同，Netronome是一家網絡處理器公司，而且與Intel有著千絲萬縷的關聯(lián)。2007年11月，Intel將IXP2800網絡處理器產品線的開發(fā)授權給了Netronome，根據(jù)相關協(xié)議，由Netronome繼續(xù)開發(fā)基于IXP2800架構的網絡處理器NFP3200。
根據(jù)協(xié)議，Netronome也可以使用英特爾的EDA設計工具
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英特爾 22nm
- 據(jù)臺積電公司負責開發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品，并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業(yè)論壇會議上透露這些信息的。
會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節(jié)，據(jù)他表示，臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品，基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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臺積電 22nm
- 面對日益低迷的需求，Intel正考慮暫停位于愛爾蘭的Fab 24工廠向22nm工藝升級的計劃。之前Intel已經將下一代Ivy Bridge平臺的發(fā)布時間推遲了一個季度，以節(jié)省成本。消息來源確信Intel暫停Fab 24升級的計劃將在短時間內對PC廠商以及半導體制造業(yè)中Intel的合作伙伴造成一定程度的沖擊。
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Intel 22nm
- 英特爾于5月4日宣布將在22nm節(jié)點采用“Tri-Gate”(三柵)晶體管技術，實現(xiàn)了歷史性的技術突破。
據(jù)英特爾介紹說，3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術發(fā)展速度，它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術能促進處理器性能大幅提升，并且可以更節(jié)能，新技術將用在未來22納米設備中，包括小的手機到大的云計算服務器都可以使用。
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Intel 22nm
- 擁有阿拉伯財閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導體研究機構，比利時的IMEC簽署了一項關于在亞22nm節(jié)點制程CMOS技術和 硅上氮化鎵（GaN-on-Si：可用于制造固態(tài)照明器件，功率器件和射頻電路器件等）技術結成長期戰(zhàn)略合作伙伴的合作協(xié)議。
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Globalfoundries 22nm
- 全球領先的半導體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發(fā)中心imec簽署了一項長期的戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)22nm節(jié)點以下CMOS技術以及GaN-on-Si技術。
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GlobalFoundries 22nm
- 據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術細節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結構。消息來源還稱Intel“很快就會”對外公開展示一款基于這種22nm制程的處理器實 物。不過記者詢問Intel發(fā)言人后得到的答復則是:"我們不會對流言或猜測進行評論。"
盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開過其22nm制程SRA
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Intel 22nm SRAM
- SandyBridge帶來了第二代32nm，對Intel來說下一站自然就是22nm了，而且無論投資規(guī)模、工廠數(shù)量都將超越以往。
Intel首席財務官StacySmith近日表示：“為了支撐核心業(yè)務的強勢增長，以及圖形晶體管轉向新工藝，我們預計建設、裝備22nm工藝工廠的資本支出將增加到90億美元?！?/li>
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英特爾 22nm
- 從某些方面上看，22nm節(jié)點制程也許并不算是什么技術上的突破，相反，在人們的眼中這可能是一種吃力而不討好的活兒。從高端角度上看，向22nm節(jié)點制 程轉換并不需要對制程技術進行什么翻天復地的大變革，而且實現(xiàn)這種制程技術的技術壁壘也不算很高(當然工程師還是需要解決一些技術問題)，同時對 Intel，臺積電，三星等業(yè)界巨頭而言，也完全有資源有能力解決這些問題，但對其它實力稍差的競爭者而言，也會有自己的技術和市場措施來抵擋這些巨頭的 22nm制程攻勢。
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Alchimer 22nm
- 讓整個產業(yè)猜測了一次又一次之后，Intel今天終于官方確認，他們的新工廠已經在為下一代450mm晶圓做著準備。
450mm(18英寸)指的都是硅晶圓的直徑，就像現(xiàn)在最普遍使用的300mm(12英寸)，以及早被淘汰的200mm(8英寸)、150mm(6英寸)。晶圓尺寸越大，生產芯片的效率也就更高，直接結果就是單位成本更低、利潤空間更大，但是晶圓尺寸所需要的研發(fā)和制造成本也是天文數(shù)字級別的，往往需要整個半導體產業(yè)的攜手合作，而晶圓尺寸每一次擴大也都需要長達11年左右的周期。
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英特爾 晶圓 22nm
- 英特爾做了一件前所未有的事——與Achronix半導體公司達成協(xié)議，將以22nm制造工藝為其代工FPGA(可編程門陣列)芯片。
說前所未有，并不是英特爾初次為他人代工，也不是因為代工對象是一家規(guī)模尚小的新公司。以往英特爾曾開放過部分產能，但一定會落后于自己當時主流的制造工藝。而這一回，英特爾要拿出來的可是業(yè)界最先進的制造工藝。
半導體行業(yè)分工明確：很多廠商專攻芯片設計，之后把制造委托給規(guī)模效應顯著的代工大廠(如臺積電)，只有英特爾等少數(shù)半導體企業(yè)實行自行設計和制造的
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英特爾 22nm
- 在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現(xiàn)22nm的各類光刻技術的進展、挑戰(zhàn)與未來市場前景進行了熱烈的討論。
作為193nm光刻技術的接替者，ASML仍是全球EUV(遠紫外光光刻機) 技術的領先供應商。該公司的首臺NXE3100機器將如期發(fā)貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術的主要挑戰(zhàn)。另外，為了達到工業(yè)使用指標急需投入大筆資金。
Nikon指出它仍繼續(xù)采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數(shù)值孔徑)
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ASML 22nm 光刻
- Gloabl Foundries(GF)聲稱將投資30億美元用來擴充德國與美國的產能，以回應全球代工近期呈現(xiàn)的產能饑餓癥。
歐洲：在Dresden新建Fab 12，目標是45nm、28nm及22nm，月產能8萬片，潔凈廠房面積11萬平方英尺。項目已經國家與歐盟批準，并于2011年開始量產。
GF發(fā)言人稱Dresden投資在14-15億美元。
美國：GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8，目標為28nm及22nm，總建筑面積為30萬平方英尺，其中潔凈廠房為9萬平方英
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GloablFoundries 22nm 45nm 28nm
22nm介紹
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