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22nm
22nm 文章 進(jìn)入22nm技術(shù)社區(qū)
張忠謀公開臺(tái)積電20nm制程技術(shù)部分細(xì)節(jié)
- 臺(tái)積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過(guò)22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺(tái)積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì)展上，臺(tái)積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺(tái)積電的下一個(gè)主要制程平臺(tái)，另外，20nm之后，臺(tái)積電還會(huì)跳過(guò)18nm制程。 根據(jù)臺(tái)積電會(huì)上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)技術(shù)方面則會(huì)使用HKMG/應(yīng)變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 光刻 28nm 22nm
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長(zhǎng) 搶先進(jìn)制程時(shí)效成勝負(fù)關(guān)鍵
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在近來(lái)的多次演講中，皆提及未來(lái) 2011~2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)溫和成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。惟晶圓廠之間先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)賽不停歇，臺(tái)積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時(shí)間13日的臺(tái)積電技術(shù)論壇上，突然表態(tài)將跳過(guò)22奈米，直接切入20奈米，預(yù)計(jì)2012年第3季導(dǎo)入生產(chǎn)。雖然此舉是臺(tái)積電基于替客戶創(chuàng)造價(jià)值而作的決定，但外界認(rèn)為，這也是為了拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Global Foundries的技術(shù)差距。 延續(xù)張忠謀對(duì)先進(jìn)制程的看法，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義隨后在會(huì)中的演講中表示，該公司將
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 22nm 晶體管
張忠謀：臺(tái)積電將向14nm以下工藝挺進(jìn)
- 臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會(huì)議上表示，臺(tái)積電將會(huì)和整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進(jìn)軍。 張忠謀認(rèn)為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展速度不會(huì)很快，原因有很多，其中之一就是受摩爾定律制約，技術(shù)發(fā)展的速度會(huì)趨于緩慢。 張忠謀表示，2xnm時(shí)代眼下很快就要到來(lái)，1xnm時(shí)代也會(huì)在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)內(nèi)成為現(xiàn)實(shí)，而臺(tái)積電或許無(wú)法在他的任期內(nèi)走向1xnm，但肯定會(huì)竭盡全力將半導(dǎo)體制造技術(shù)帶向新的水平。 臺(tái)積電2010年間的資本支出預(yù)算高達(dá)48億美元，
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Intel 22nm光刻工藝背后的故事
- 去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。 當(dāng)然了，新型半導(dǎo)體工藝的實(shí)現(xiàn)并不是Intel一家就能做到的，背后默默貢獻(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的功臣卻往往不為人所知。Arete Research LLC公司的分析師Jagadish Iyer在一份報(bào)告中指出，Intel即將最終決定22nm光刻工藝設(shè)備的供應(yīng)商，最終入圍的是荷蘭ASML Holding NV和日本尼康兩家。 其實(shí)在更早的45nm世代，ASML和尼康也曾雙
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GlobalFoundries德國(guó)Dresden工廠將投產(chǎn)22nm CMOS制程
- GlobalFoundries位于德國(guó)Dresden的Fab 1正在啟動(dòng)22nm CMOS工藝的開發(fā)，并計(jì)劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。 此前，F(xiàn)ab 1被認(rèn)為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產(chǎn)工廠，而正在美國(guó)紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產(chǎn)地。 “22nm制程已在Fab 1開動(dòng)，F(xiàn)ab 1將試產(chǎn)22nm，并投入部分量產(chǎn)?！盕ab 1總經(jīng)理Ud
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Intel、IBM 22/15nm制程部分關(guān)鍵制造技術(shù)前瞻
- 半導(dǎo)體特征尺寸正在向22/15nm的等級(jí)不斷縮小，傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關(guān)這個(gè)問(wèn)題，業(yè)界已經(jīng)討論了很久?，F(xiàn)在，決定半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展方向的歷史拐點(diǎn)即將到來(lái)，盡管IBM和Intel兩大陣營(yíng)在發(fā)展方式上會(huì)有各自不同的風(fēng)格和路線，但雙方均已表態(tài)稱在15nm級(jí)別制程啟用全耗盡型晶體管(FD:Fully Depleted)技術(shù)幾乎已成定局，同時(shí)他們也都已經(jīng)在認(rèn)真考慮下一步要不要將垂直型晶體管(即立體結(jié)構(gòu)晶體管)制造技術(shù)如三門晶體管，finFET等投入實(shí)用。 據(jù)In
- 關(guān)鍵字： Intel 22nm 15nm
IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
- IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。 在IEDM會(huì)議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng)，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無(wú)需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm SOC
EUV: 一場(chǎng)輸不起的賭局
- 2010年， ASML將有5臺(tái)最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級(jí)存儲(chǔ)器廠商和2家頂級(jí)邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問(wèn)題，并預(yù)測(cè)著各種可能發(fā)生的問(wèn)題及解決方案。 人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問(wèn)題已歷時(shí)數(shù)年，因?yàn)槠洳ㄩL(zhǎng)較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時(shí)，延伸immersion技術(shù)，用其
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 22nm
臺(tái)積電聯(lián)手IMEC公司開發(fā)22nm制程技術(shù)
- 最近芯片制造業(yè)各大巨頭連連作出合并動(dòng)作，繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導(dǎo)體之后，最近臺(tái)積電與比利時(shí)IMEC公司也正式簽署了合作開發(fā) 協(xié)議，雙方將協(xié)力進(jìn)行混合信號(hào)IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關(guān)技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)工作。此前兩家公司實(shí)際上已經(jīng)開始在進(jìn)行緊密協(xié)作，不過(guò)這次的協(xié) 議簽訂則令雙方的合作關(guān)系由“同居”轉(zhuǎn)為“正式結(jié)婚”。 雙方合作過(guò)程中，IMEC公司將主要負(fù)責(zé)研發(fā)設(shè)計(jì)方面，而臺(tái)積電則將負(fù)責(zé)產(chǎn)品的實(shí)際生產(chǎn)。為此，IMEC公司已經(jīng)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 22nm 芯片制造
Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?
- 在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上，Intel曾提到會(huì)在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對(duì)手AMD的代工公司Globalfoundries則會(huì)在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014年他們計(jì)劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段，有關(guān)的制造工具甚至都還沒(méi)有開發(fā)出來(lái)，不過(guò)按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算，預(yù)計(jì)Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會(huì)在2013年左右。
- 關(guān)鍵字： Intel 15nm 22nm 制程技術(shù)
瑞薩和NEC合并明確目標(biāo) 更多關(guān)注SoC
- NEC與瑞薩合并后會(huì)提出未來(lái)的工藝發(fā)展問(wèn)題。NEC是屬于IBM體系來(lái)發(fā)展32/28nm節(jié)點(diǎn)。而瑞薩是與松下的技術(shù)合作體系來(lái)發(fā)展32/28nm。未來(lái)22nm怎么辦? 新公司稱作瑞薩電子，于2010年4月正式合并成立，所以有關(guān)22nm將由新公司來(lái)決定。 在問(wèn)到合并后公司的基本方向時(shí)，瑞薩歐洲區(qū)總裁Trowbridge認(rèn)為新公司試圖建成能服務(wù)于21世紀(jì)電子工業(yè)的半導(dǎo)體基礎(chǔ)。然而這個(gè)基礎(chǔ)現(xiàn)在可能不太穩(wěn)固，因?yàn)榘磇Suppli收集的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體工業(yè)在2008到2009年期間總共虧損達(dá)220億美元
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 SoC 22nm
瑞薩和NEC合并后思考22nm
- NEC與瑞薩合并后會(huì)提出未來(lái)的工藝發(fā)展問(wèn)題。NEC是屬于IBM體系來(lái)發(fā)展32/28nm節(jié)點(diǎn)。而瑞薩是與松下的技術(shù)合作體系來(lái)發(fā)展32/28nm。未來(lái)22nm怎么辦? 新公司稱作瑞薩電子，于2010年4月正式合并成立，所以有關(guān)22nm將由新公司來(lái)決定。 在問(wèn)到合并后公司的基本方向時(shí)，瑞薩歐洲區(qū)總裁Trowbridge認(rèn)為新公司試圖建成能服務(wù)于21世紀(jì)電子工業(yè)的半導(dǎo)體基礎(chǔ)。然而這個(gè)基礎(chǔ)現(xiàn)在可能不太穩(wěn)固，因?yàn)榘磇Suppli收集的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體工業(yè)在2008到2009年期間總共虧損達(dá)220億美元
- 關(guān)鍵字： NEC 22nm 微控制器
“芯”路歷程 45nm時(shí)代還能維持多久？
- 納米技術(shù)在芯片界中的發(fā)展速度相當(dāng)可觀，而對(duì)于目前企業(yè)級(jí)處理器發(fā)展領(lǐng)域中主要還是靠45nm獨(dú)當(dāng)一面，而隨著45nm工藝的日趨成熟，各個(gè)芯片廠商卻早已開始瞄向32nm工藝和22nm工藝。而按照工藝路線，接下來(lái)的處理器將指向32nm工藝。早在08年末的國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)上，主要的會(huì)議切入點(diǎn)集中放在了32nm工藝之上，并且英特爾(Intel)公司在此次會(huì)議中，對(duì)32nm制程技術(shù)的細(xì)節(jié)進(jìn)行闡述，并計(jì)劃于2009年第四季投產(chǎn)，以推出更大能源效率、更高密度、效能更強(qiáng)的晶體管。 從最早的1965年英特
- 關(guān)鍵字： Intel 45nm 32nm 22nm
自信心爆棚：Globalfoundries首腦稱Fab3工廠項(xiàng)目近期出臺(tái)
- 最近Globalfoundries公司可謂喜事連連，繼紐約Fab2工廠正式奠基后，又與意法半導(dǎo)體成功簽約。不過(guò)按GF公司主席Hector Ruiz的說(shuō)法，他們現(xiàn)在已經(jīng)開始籌劃第三間制造廠Fab3的項(xiàng)目。目前在建的Fab2將采用300mm技術(shù)生產(chǎn)晶圓，建成初期的2012年，將采用 28nm制程技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，隨后轉(zhuǎn)向22nm制程。 目前外界很難猜測(cè)Fab3項(xiàng)目的細(xì)節(jié)，更不用說(shuō)興建計(jì)劃的日期了。不過(guò)此舉至少說(shuō)明GF對(duì)自己的Fab1/Fab2工廠充滿信心，并對(duì)公司的發(fā)展前景非常樂(lè)觀。
- 關(guān)鍵字： Globalfoundries 晶圓 22nm 28nm
ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)
- 意法半導(dǎo)體和法國(guó)電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室CEA-LETI宣布，法國(guó)經(jīng)濟(jì)、工業(yè)和就業(yè)部長(zhǎng)，以及國(guó)家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國(guó)格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。 Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國(guó)家/私營(yíng)戰(zhàn)略研發(fā)項(xiàng)目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國(guó)國(guó)家、地區(qū)和本地政府的財(cái)政支持，旨
- 關(guān)鍵字： ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
22nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條22nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)22nm的理解，并與今后在此搜索22nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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