20世紀80年代，日本是全球的半導體霸主，一度嚴重威脅了美國公司地位，之后被打壓，現在只在個別領域還有優(yōu)勢，先進工藝上已經落后當前水平10到20年，不過日本已經制定復興計劃，聯手歐洲IMEC之后又確定聯手IBM。此前報道就指出，日本要想攻關2nm先進工藝，潛在的合作對象就是IBM公司，后者也在日前發(fā)布聲明，確認跟日本Rapidus公司達成合作，雙方將成立研發(fā)機構，IBM會派遣員工參與合作。Rapidus公司是前不久日本至少八大電子巨頭聯合成立的半導體公司，吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8
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IBM 日本 Rapidus 2nm
都說芯片燒錢，但芯片到底有多燒錢大家還沒有一個清晰的認知，尤其是芯片工藝越來越先進，其燒錢的規(guī)模可謂呈幾何級增長。從研發(fā)成本端來看，其中28nm工藝只要4280萬美元，22nm工藝需要6300萬美元，16nm工藝需要8960萬美元。然而3nm則飆升到5.8億美元，而2nm工藝開發(fā)資金則要達7.2億美元，約合人民幣50億。當然，這還只是研發(fā)層面的費用，而3nm、2nm工藝工廠建設則需要200億美元以上的資金，而這還不包括生產費用，可見這簡直是十分燒錢的行為。顯然，照這樣發(fā)展下去，未來2nm的CPU及顯卡就算
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2nm
IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大廠富士通（Fujitsu）的高層表示，該公司計劃自行設計 2 納米制程的先進半導體，并打算委托臺積電代工生產。據《日本經濟新聞》報道，富士通首席技術官 Vivek Mahajan 周二在一場記者會上表示，該公司計劃自行設計 2 納米制程的先進半導體，打算委托晶圓代工龍頭臺積電代為生產。報道指出，富士通目標最快在 2026 年完成搭載該芯片的節(jié)能中央處理器 (CPU)。IT之家了解到，臺積電目前計劃在 2025 年量產 2 納米的芯片，該公司的先進制程技術
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富士通 2nm 臺積電
據國外媒體報道，AMD首席執(zhí)行官（CEO）蘇姿豐和公司其他C級高管希望在9月底或11月初前往臺灣地區(qū)，探索與當地合作伙伴的合作。蘇姿豐前往臺灣地區(qū)的主要原因似乎是與臺積電會面，與臺積電CEO魏哲家討論N3 Plus（N3P）和2nm級（N2）制造技術的使用以及未來的短期和長期訂單，使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級等未來節(jié)點的晶圓分配。AMD近年來取得的顯著成功很大程度上歸功于臺積電利用其極具競爭力的工藝技術大批量生產芯片的能力。AMD的CPU和GPU產品線才剛開始向5nm制程節(jié)點切換，并且臺積電的2
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AMD 蘇姿豐 臺積電 2nm 3nm 芯片
據臺媒《經濟日報》報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產，市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。臺積電先進制程進展順利，搭配FINFLEX架構的3nm將在今年下半年量產，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產一年后量產，即2023年量產。先進封裝部分，首座全自動化3DFabric晶圓廠預計于2022年下半年開始生產。雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，FinFET寬度都已經接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進制程將采用環(huán)繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構生
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臺積電 2nm
在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產，這一次三星終于領先臺積電率先量產新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會量產。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會迎
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三星 2nm GAP
日前，臺積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術有關，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多。
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臺積電 2nm
據國外媒體報道，推進3nm制程工藝今年下半年量產的臺積電，在更先進的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進展，預計在明年年中就將開始風險試產 ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產又更近了一步。業(yè)界估計，臺積電2nm試產時間點最快在2024年，并于2025年量產，之后再進入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃，設廠面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng)造4500個工作機會。以投資規(guī)模及近百公頃設廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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臺積電 2nm 制程 工藝
6月6日消息，據臺灣經濟日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產能布局，有望在中清乙工建設半導體產業(yè)鏈園區(qū)。 臺積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說會上表示，臺積電2nm預期會是最成熟與最適合技術來支持客戶成長，臺積電目標是在2025年量產?！ ∨_積電將在2nm的節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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臺積電 2nm
由于半導體芯片產能緊缺，臺積電此前宣布三年內投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現在連建筑用的磚塊都要搶購了。據《財訊》報道，這兩年芯片產能緊缺，但是比芯片產能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產建設中都需要的材料。對臺積電來說，一方面它們自己建設晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們在當地某個城市建設晶圓廠，往往還會
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此前有消息稱英特爾已經拿了臺積電3nm一半產能，近日，則有消息稱英特爾現在又要跟臺積電合作開發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會將3nm制程工藝交給臺積電代工，同時也開始跟臺積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺積電的證實，考慮到這是高度機密的信息，一時間也不會有官方確認的可能。據悉，臺積電3nm的量產時間預計2022年四季度啟動，且首批產能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺積電將在2nm節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構并采用新的材料，預計會在2025年
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英特爾 臺積電 2nm
韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調宣布，2025年投入2奈米量產，再度確認將導入新一代環(huán)繞閘極技術(GAA)電晶體架構，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎上導入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎，在2023年時要導入第二代的3奈米制程，并于2025年導入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規(guī)劃
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三星 2nm
在目前的芯片領域，三星和臺積電憑借著先進的工藝，相互不分上下，而近期在三星的公開場合中，曝光了三星最新的工藝技術。官方宣稱，三星的3nm工藝上分為兩個版本，分別在2022和2023年量產，而對比于5nm，三星的3nm工藝能夠讓芯片面積縮小35%，相同單位功耗的情況下性能可提升30%，而功耗也將降低50%左右。而2nm的工藝還沒有出現在會中，但有消息稱2nm將會在2025年量產。
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三星 2nm
芯研所消息，臺積電的2nm芯片工藝計劃上線，但是由于環(huán)評專案小組的初審，建廠計劃未能放行，還需要等8月31日之前補正后再審核。在全球先進工藝量產上，臺積電一枝獨秀，5nm、3nm工藝已經領先，再下一代工藝就是2nm了，會啟用全新GAA晶體管，技術升級很大，光是工廠建設就要200億美元。臺積電不過臺積電的2nm工廠建設計劃現在遇到了阻力。消息稱，新竹科學園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴建計劃，環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評專案小組第三次初審會議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關注，專案小組歷經逾三小時審議后，最終仍
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半導體技術的重要性已經無需多提，現在美國、中國、日本、韓國等國家和地區(qū)都在大力投資先進半導體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據報道，歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復以前的市場份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來歐盟在半導體制造業(yè)中的份額下降了，因為該地區(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會制定的計劃中，希望2030年將芯片產量翻倍，市場份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區(qū)先進芯片制造商的支持，目前至少有22個
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2nm 半導體制造
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