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TFT-LCD面板高溫Cell Gap預(yù)警重力Mura
- 摘要：重力Mura是TFT-LCD行業(yè)頑固不良，其形成原因為Cell Gap均勻性差導(dǎo)致透光率不均，在視覺上呈 現(xiàn)出色不均現(xiàn)象。為解決傳統(tǒng)監(jiān)控方式重力Mura不易攔截的缺陷，基于重力Mura形成原理，本文通過探究液 晶量對Cell Gap的影響，Cell Gap變化的敏感區(qū)間，不同液晶量面板在高溫條件下其Cell Gap隨加熱時間的變化 趨勢以及不同位置Cell Gap差異性，總結(jié)出通過高溫Cell Gap變化趨勢預(yù)警重力Mura的模型，為行業(yè)內(nèi)預(yù)防重力 Mura提供了一種全新思路。關(guān)鍵詞：高溫C
- 關(guān)鍵字： 202209 高溫Cell Gap 重力Mura 預(yù)警模型
3nm彎道超車臺積電之后 三星2nm工藝蓄勢待發(fā)：3年后量產(chǎn)
- 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會迎
- 關(guān)鍵字： 三星 2nm GAP
基于GAP技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)隔離設(shè)備的研究與設(shè)計
- 1引言隨著電子商務(wù)的發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)安全越來越重要。病毒和黑客攻擊造成的損失無法估算，防火墻、殺毒軟...
- 關(guān)鍵字： GAP 網(wǎng)絡(luò)隔離 電子商務(wù)
基于GAP技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)隔離設(shè)備的設(shè)計
- 1 引言 隨著電子商務(wù)的發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)安全越來越重要。病毒和黑客攻擊造成的損失無法估算，防火墻、殺毒軟件等防范措施都是基于軟件的保護，并不能完全可靠地阻止外界的攻擊，因此迫切需要比傳統(tǒng)產(chǎn)品更為可靠的技術(shù)防護措施。GAP技術(shù)是一種基于硬件的保護技術(shù)。 2 系統(tǒng)工作原理 國內(nèi)外快速發(fā)展的GAP技術(shù)以物理隔離為基礎(chǔ)，在確保安全性的同時，解決了網(wǎng)絡(luò)之間信息交換的困難，從而突破了因安全性造成的應(yīng)用瓶頸。GAP技術(shù)是通過專用硬件使2個或者2個以上的網(wǎng)絡(luò)在不連通的情況下實現(xiàn)安全數(shù)據(jù)傳輸和資源共享的技術(shù)
- 關(guān)鍵字： GAP 網(wǎng)絡(luò)
采用真空來制作芯片
- 真空管從計算機中已消失了數(shù)十年, 但如今真空卻做出令人吃驚的反擊。IBM 推出一新半導(dǎo)體制造技術(shù)， 該技術(shù)通過“空氣隙”(Air-Gap，實際是微小的真空洞)來替換集成電路中銅線附近的常規(guī)絕緣材料。初步結(jié)果顯示其效果甚至比最新的固體低電介質(zhì)常數(shù)材料還要好。 IBM 在今年5月3 日宣布了其Air-Gap 技術(shù)，常令人困惑的主流媒體的報道甚至是商業(yè)新聞接踵而至。一些記者抓住IBM提到了該技術(shù)采用了“自組裝納米技術(shù)”這一點，聲明這些芯片實際是自我制造。實際上, “自組裝” 技術(shù)僅僅應(yīng)用在制造過程中的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 0711_A 雜志_技術(shù)長廊 IBM 芯片 Air-Gap
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