3d nand 文章 進入3d nand技術社區(qū)
商刊:英特爾NAND閃存面臨多重問題
- 北京時間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出,由于美國經(jīng)濟衰退導致電腦和消費電子產品銷售增長減速,對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司,共同研發(fā)和生產一種名為NAND閃存的內存芯片,這種芯片被廣泛應用于各種消費電子產品。兩年多來,英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。 全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布,它預計其第一季度毛利率將在54%左右,低于之前作出的56%的預期目標。主要原因在于:NAND閃存的價格低于預期水平。在第
- 關鍵字: 英特爾 NAND
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關鍵字: NAND NOR flash
分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產品種類短缺和平均銷售價格走平之后,NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱,全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購。現(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應用。這些因素都會對NAND閃存市場產生影響。 Mok稱,蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動,導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過了需求的70%和價格的下降。 這位分析師稱,雖然自從2
- 關鍵字: NAND 閃存 芯片
內存產業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內存產業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料,整個產業(yè)的高點反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發(fā)展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產品旺季出現(xiàn),反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下,可說是一團混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢,雖然大家對于「寒流」來襲,都已有心理準備,但仍是不敢大意。 TRI觀點: 2007年內存產業(yè)的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個事件,就是Samsun
- 關鍵字: 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導體設備開支將降9.9%
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱,2008年全球半導體設備開支預計將達到403億美元,比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導體生產事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱,2007年的特點是DRAM內存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復開支的狀況令人失望。在2008年,我們預計隨著DRAM內存市場將糾正資本開支的長期錯誤,半導體主要設備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
- 關鍵字: 半導體 NAND 閃存 IC自動測試設備 ATE
NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率
- 拓墣產業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出,2008年起,除了由原手持式消費電子產品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外,NAND Flash將通過NB與PC的采用,以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產品型態(tài),逐步擴大市場占有率,市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示,NAND Flash在過去幾年快速擴充產品應用領域,從2004年產品應用比例最高的數(shù)碼相機,到2006年MP3 Pla
- 關鍵字: NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
iSuppli調低08年半導體預期
- 市場研究機構iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由,調低了2008年全球半導體市場銷售收入預期,不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 據(jù)國外媒體報道,iSuppli的最新預期顯示,2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元,較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%,而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%,預期增幅減少了1.8個百分點。 iSuppli表示,2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響,美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂觀,而美國經(jīng)濟的影響力自然會波及全球
- 關鍵字: 半導體 芯片 NAND 半導體材料
東芝推出首個對應多值技術的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive:固態(tài)硬盤)產品,主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨,并同時開始量產。在此之前,東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產品。 目前的SSD,采用高速雙值NAND閃存,和HDD相比,高速、體積輕,但也存在容量小、成本高的問題,目前還沒有真正普及。因此,搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 東芝 NAND 閃存
DRAM市場基礎繼續(xù)惡化 預計08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據(jù)三星日前的報告,我們分析2008年上半年DRAM內存市場基礎繼續(xù)惡化,大多數(shù)DRAM供應商,尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?!? 預計2008年,DRAM領域的資本開支將下滑超過30%,原來預計下降20%。這將導致總體內存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后,該市場仍然存在嚴重的供過于求情況。“這主要由于按容量計
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計
閃存成本下滑固態(tài)硬盤價格將下降 筆記本很有優(yōu)勢
- 固態(tài)硬盤明年仍然少見且價格昂貴,但隨著其量產,閃存成本的下滑,固態(tài)硬盤價格從2009年,2010年開始將開始下降。 DRAM與閃存產品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異,但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲在磁碟上不同,固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內存芯片上,就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產固態(tài)硬盤。第一批產品為32GB或64GB型號。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半,但Micron內存
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 固態(tài)硬盤 閃存 NAND MCU和嵌入式微處理器
三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠商
- 近期,三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降,另一方面,英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場,許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺灣內存廠商的供貨量,是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應量,唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施,這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產品的依賴。 一些臺灣內存廠商指出,它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購,
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
3d nand介紹
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