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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
- 韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設(shè)備，可在智能手機(jī)，平板電腦等移動設(shè)備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產(chǎn)。 這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。 Hynix宣稱這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達(dá)4.26GB/s。另外，這
- 關(guān)鍵字： Hynix 44nm DDR2 內(nèi)存芯片
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