90納米 文章 進入90納米技術(shù)社區(qū)
華虹半導(dǎo)體90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)
- 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點，具有很強的市場競爭優(yōu)勢。 華虹半導(dǎo)體自主研發(fā)的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺，是國內(nèi)最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術(shù)，可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎(chǔ)上，提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eF
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力晶與瑞薩合作90納米驅(qū)動芯片量產(chǎn)
- 內(nèi)存廠商力晶受到標準型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅(qū)動芯片高壓制程進入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉(zhuǎn)型之路邁進。 力晶日前宣布淡出PC DRAM產(chǎn)業(yè)之后，積極邁開業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型步伐，該公司發(fā)言人譚仲民指出，代工事業(yè)的制程技術(shù)獲得重大進展，與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅(qū)動芯片高壓制程，已開發(fā)成功并進入量產(chǎn)，此技術(shù)承接原瑞薩電子之制程技術(shù)，將
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)
- 全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)，進一步強化合作關(guān)系。 全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫，就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內(nèi)的實體智財產(chǎn)品。 因
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英特爾：大連芯片廠10月按時投產(chǎn)
- 從現(xiàn)在開始可以倒計時了，距離英特爾大連芯片廠還有100天左右的時間。 日前，英特爾亮相2010中國(大連)國際專利技術(shù)與產(chǎn)品交易會。通過展示創(chuàng)立42年來在技術(shù)創(chuàng)新和專利領(lǐng)域的重要成果，分享創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的成功理念與經(jīng)驗，英特爾致力于推動中國自主創(chuàng)新的步伐與健康產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境的建設(shè)。 在會議期間，CNET科技資訊網(wǎng)記者了解到，英特爾大連芯片廠正在有條不紊地為10月份正式投產(chǎn)做準備。 據(jù)悉，現(xiàn)在英特爾大連芯片廠已有員工1500余人，其中包括近300人的外籍專家，這些專家將在工廠運營初期
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飛思卡爾90納米ColdFire+混合信號微控制器解決方案加快設(shè)計創(chuàng)新
- 飛思卡爾半導(dǎo)體日前發(fā)布了40款新的ColdFire+ (plus)器件，將其久經(jīng)考驗的ColdFire產(chǎn)品線提升到一個新的高度，鞏固了該公司在32位微控制器 (MCU) 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。通過采用90納米 (nm) 薄膜存儲器 (TFS) 閃存技術(shù)以及 FlexMemory技術(shù)，ColdFire+ MCU致力于成為市場上集成程度最高、最經(jīng)濟高效和小封裝的32位MCU。 ColdFire+ MCU依托飛思卡爾在32位微控制器方面的既有優(yōu)勢，代表了ColdFire演進的下一步。新的ColdFire
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張忠謀：臺積電2年內(nèi)可望在大陸設(shè)12英寸晶圓廠
- 美商高盛證券22日舉行“兩岸科技CEO論壇”，聚焦兩岸開放帶來的機會，臺積電董事長張忠謀一早針對兩岸半導(dǎo)體政策與產(chǎn)業(yè)未來進行演講，據(jù)與會廠商轉(zhuǎn)述，張忠謀認為2年內(nèi)12吋晶圓廠可望開放登陸;張忠謀并上調(diào)半導(dǎo)體今年增長率至22%。 高盛證券8年后再度回臺舉辦論壇，第一位邀請上臺演講的，就是臺灣市值最大的全球化企業(yè)臺積電董事長張忠謀，會后針對臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開放政策，張忠謀表示臺灣政策仍有諸多限制，明確開放才不會讓企業(yè)感到不確定，甚至偷偷摸摸地登陸。 臺美半導(dǎo)體政策差距3-
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SEMI：中國半導(dǎo)體產(chǎn)出在未來十年內(nèi)將翻倍
- 按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預(yù)計在未來的十年內(nèi)中國的半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場將增加一倍。 由假設(shè)的鴻溝數(shù)字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應(yīng)出臺了鼓勵政策，促進在未來十年中設(shè)備及材料的采購會大幅增加。 除此之外，隨著中國的芯片制造與封裝測試設(shè)備的大量進口也大大促進了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。 自1997年中國半導(dǎo)體市場超過美國與日本之后，中國的政策制訂者開始極力強調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內(nèi)產(chǎn)出
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臺積電與清華大學(xué)合作65/90納米制程晶圓共乘
- 臺積電繼宣布明年調(diào)薪15%，強化人才誘因， 23日又宣布與北京清華大學(xué)合作，共同邀請在半導(dǎo)體領(lǐng)域表現(xiàn)杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導(dǎo)體創(chuàng)新人才演講及座談會，并提供清大先進65納米與90納米制程晶圓共乘服務(wù)，協(xié)助系統(tǒng)單芯片等技術(shù)的創(chuàng)新開發(fā)。 臺積電表示，將與清大共同邀請在半導(dǎo)體領(lǐng)域占有一席之地的重要領(lǐng)導(dǎo)人物，每季 2位返校分享全球及中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展趨勢、前瞻技術(shù)概況、當前市場競爭樣貌及個人創(chuàng)業(yè)歷程，為學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界搭起雙向溝通橋梁，以承先啟后，同時對學(xué)校研究項目提出產(chǎn)業(yè)界建議。 這項
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微捷碼加大對臺積電工藝的支持力度
- 芯片設(shè)計解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計自動化有限公司日前宣布，Quartz™ DRC和Quartz LVS規(guī)則集現(xiàn)可應(yīng)用于臺積電(TSMC)180納米工藝技術(shù)。通過這種支持力度的加大，設(shè)計師現(xiàn)在能夠從TSMC-Online(SM)網(wǎng)站下載到Quartz DRC和Quartz LVS的40納米、65納米、90納米、130納米和180納米規(guī)則集(rule decks)。 “多年來，我們一直采用微捷碼的Quartz DRC和Quartz LVS進行先進工藝節(jié)點設(shè)計。我們
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中芯國際中期虧損擴大至2.77億美元
- 中芯國際公布截至09年6月30日止中期業(yè)績，錄得股東應(yīng)占虧損2.77億美元，每股虧損0.01美元，不派中期息。 該公司08年同期錄得虧損2.7億美元。 特許與中芯國際誰更幸運 阿布扎比金主再次攪動半導(dǎo)體業(yè)，繼上次拯救了AMD的財務(wù)困境后，此次又花重金收購新加坡特許半導(dǎo)體，并將兩者合并組成新的GF。此舉在全球代工業(yè)中產(chǎn)生極大的震蕩，非常明顯此舉既救了特許，同時又沖著臺積電而來。 處于全球代工第三及第四名的中芯國際與特許，如今兩者的地位發(fā)生了新的變化，好像特許又找了個“
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