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高成本效益的實(shí)用系統(tǒng)方法解決QFN-mr BiCMOS器件單元測(cè)試電源電流失效問(wèn)題
- 摘要 本文探討一套解決芯片單元級(jí)電測(cè)試過(guò)程電源電流失效問(wèn)題的方法。當(dāng)采用QFN-MR(四邊扁平無(wú)引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)芯片進(jìn)入量產(chǎn)預(yù)備期時(shí)，電源電流失效是一個(gè)進(jìn)退維谷的制造難題?！ ”疚慕榻B了數(shù)種不同的失效分析方法，例如，數(shù)據(jù)分析、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)、流程圖分析、統(tǒng)計(jì)輔助分析和標(biāo)桿分析，這些分析方法對(duì)確定問(wèn)題的根源有很大的幫助，然后使用統(tǒng)計(jì)工程工具逐步濾除可變因素?！ ”卷?xiàng)目找到了電流失效問(wèn)題的根源，并采用了相應(yīng)的解決措施，使電源電流失效發(fā)生率大幅
- 關(guān)鍵字： BiCMOS QFN-MR
新能源汽車(chē)會(huì)越來(lái)越多
- 今后中國(guó)新能源汽車(chē)會(huì)越來(lái)越多，?針對(duì)新能源汽車(chē)相關(guān)的產(chǎn)品，?東芝推出了例如在節(jié)能方面非常有功效 的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的電路，?還有在電動(dòng)車(chē)混合動(dòng)力里面廣泛使用的光機(jī)電器件類(lèi)似的產(chǎn)品。?車(chē)載信息化方面，?東芝除了既有的車(chē)載音箱產(chǎn)品以外，?還增加了與互聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的無(wú)線互聯(lián)的藍(lán)牙產(chǎn)品、?存儲(chǔ)產(chǎn)品。針對(duì)環(huán)保的要求，?東芝提供非常獨(dú)特的有優(yōu)勢(shì)的電機(jī)控制技術(shù)，?東芝的BiCMOS的制成技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)130納米高性能的制程，&nb
- 關(guān)鍵字： 東芝 BiCMOS
高效率低諧波失真E類(lèi)RF功率放大器設(shè)計(jì)
- 引言 近年來(lái)，隨著無(wú)線通訊的飛速發(fā)展，無(wú)線通信里的核心部分——無(wú)線收發(fā)器越來(lái)越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的體積，而作為收發(fā)器中的最后一級(jí)，功率放大器所消耗的功率在收發(fā)器中已占到了60%～90%，嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的性能。所以，設(shè)計(jì)一種高效低諧波失真的功率放大器對(duì)于提高收發(fā)器效率，降低電源損耗，提高系統(tǒng)性能都有十分重大的意義。 筆者采用了SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)了集成E類(lèi)功率放大器，其工作頻率為1.8GHz，工作電壓為1.5V，輸出功率為26dBm，并具有高
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 BiCMOS E類(lèi)
高效率低諧波失真E類(lèi)RF功率放大器設(shè)計(jì)
- 引言 近年來(lái)，隨著無(wú)線通訊的飛速發(fā)展，無(wú)線通信里的核心部分——無(wú)線收發(fā)器越來(lái)越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的體積，而作為收發(fā)器中的最后一級(jí)，功率放大器所消耗的功率在收發(fā)器中已占到了60%～90%，嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的性能。所以，設(shè)計(jì)一種高效低諧波失真的功率放大器對(duì)于提高收發(fā)器效率，降低電源損耗，提高系統(tǒng)性能都有十分重大的意義。 筆者采用了SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)了集成E類(lèi)功率放大器，其工作頻率為1.8GHz，工作電壓為1.5V，輸出功率為26dBm，并具有高
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 BiCMOS
新型BiCMOS集成運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
- 為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動(dòng)能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線，介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì)，探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì)，并對(duì)其電路各個(gè)器件參數(shù)進(jìn)行調(diào)
- 關(guān)鍵字： BiCMOS 集成運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)
基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放
- 摘要：為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動(dòng)能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線，介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì)，探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì)，并對(duì)其電路各個(gè)器件參數(shù)
- 關(guān)鍵字： BiCMOS CMOS 工藝 放大器設(shè)計(jì)
新型BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)
- 在模擬及數(shù)/?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中，電壓基準(zhǔn)是非常重要的電路模塊之一，而通過(guò)巧妙設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 電路 基準(zhǔn) BiCMOS 新型
基于BiCMOS寬動(dòng)態(tài)可變?cè)鲆娣糯笃鞯脑O(shè)計(jì)
- 基于柵壓控制MOS管等效電阻實(shí)現(xiàn)放大器輸出電阻和射極電阻同時(shí)改變的原理，構(gòu)造一種新型可變?cè)鲆娣糯笃?，通過(guò)控制電路和穩(wěn)壓電路提高了增益動(dòng)態(tài)范圍和電路穩(wěn)定性。采用UMC O．5μm BiCMOS工藝，使用HSpice軟件仿真，結(jié)果表明該放大器可在O～70μA的較小控制電流下實(shí)現(xiàn)增益在O～66 dB寬范圍內(nèi)連續(xù)變化，帶寬超過(guò)73 MHz，具有良好的線性度。
- 關(guān)鍵字： BiCMOS 寬動(dòng)態(tài) 可變?cè)鲆娣糯笃?/a>
Hittite寬動(dòng)態(tài)范圍的功率檢波器
- 日前，全球知名的射頻微波IC廠商Hittite公司面向?qū)拵А?G、Winmax、自動(dòng)化以及4G應(yīng)用領(lǐng)域推出了基于 SiGe BiCMOS 工藝的功率檢波器HMC713LP3E。 該器件可以在50MHz到8GHz范圍內(nèi)按比例把輸入的射頻信號(hào)變換成直流電壓輸出，精度為±1dB時(shí)，在2700MHz以下動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)可達(dá)54dB，在3.9到8GHz動(dòng)態(tài)范圍也有49dB。其回?fù)p則在全部工作頻段都優(yōu)于10dB。 HMC713LP3E的工作電壓范圍是2.7V到5.5V，消耗電流為17 mA。與
- 關(guān)鍵字： Hittite SiGe BiCMOS 功率檢波器
Maxim推出76V APD偏置和電流監(jiān)測(cè)IC
- Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級(jí)和電流監(jiān)測(cè)IC DS1842。器件采用Maxim先進(jìn)的BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡，用于監(jiān)測(cè)APD電流。該器件還包含一個(gè)FET開(kāi)關(guān)，可與外部DC-DC控制器配合工作，構(gòu)建DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。DS1842非常適合用于GPON ONU和OLT中的APD偏置和電流監(jiān)測(cè)。 DS1842工作在-40°C至+85°C擴(kuò)展級(jí)溫度范圍，提供帶有裸焊盤(pán)的小尺寸3mm x 3mm、14引腳TDF
- 關(guān)鍵字： Maxim BiCMOS 電流監(jiān)測(cè) DS1842
手機(jī)充當(dāng)投影儀 Maxim推出激光驅(qū)動(dòng)器
- Maxim推出3通道、RGB激光驅(qū)動(dòng)器MAX3600，能夠?qū)⒏叻直媛实奈⑿屯队皟x集成至小體積設(shè)備中。該器件采用Maxim最新的BiCMOS工藝，具有小于2ns的超快速切換時(shí)間，支持高達(dá)1080p (1920 x 1080像素)和WXGA (1400 x 768像素)的高分辨率圖片。此外，器件省去了3個(gè)分立的激光驅(qū)動(dòng)器，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)者能夠?qū)⑽⑿屯队皟x嵌入至新一代消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備。器件的目標(biāo)應(yīng)用包括：智能電話、便攜式媒體播放器、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)/便攜式攝像機(jī)、投影儀配件以及數(shù)碼相框。 MAX3
- 關(guān)鍵字： Maxim 激光驅(qū)動(dòng)器 MAX3600 BiCMOS
益登科技代理RFaxis射頻前端芯片與嵌入式天線產(chǎn)品
- 專(zhuān)業(yè)電子元器件代理商益登科技今日宣布正式取得RFaxis代理權(quán)。RFaxis是一家致力于為無(wú)線通信市場(chǎng)提供新一代射頻解決方案的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司，益登科技將銷(xiāo)售RFaxis的射頻前端芯片(Front-end Integrated Circuit，RFeIC)與嵌入式天線全系列解決方案，應(yīng)用領(lǐng)域涵括消費(fèi)性電子、PC及外圍器件、無(wú)線及手機(jī)市場(chǎng)，銷(xiāo)售領(lǐng)域遍及臺(tái)灣地區(qū)、中國(guó)大陸、馬來(lái)西亞、新加坡、印度等國(guó)家及地區(qū)。 通過(guò)采用BiCMOS技術(shù)及各項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)與設(shè)計(jì)，RFaxis開(kāi)發(fā)了業(yè)界首創(chuàng)的專(zhuān)利RFeIC
- 關(guān)鍵字： 益登 射頻 RFeIC 嵌入式天線 BiCMOS
Maxim推出線性度最高的下變頻SiGe混頻器
- Maxim推出帶有片內(nèi)LO緩沖器的完全集成、2000MHz至3900MHz下變頻混頻器MAX19996A。器件采用Maxim專(zhuān)有的單片SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，集優(yōu)異的線性度、噪聲性能和高度的器件集成特性于一體，能夠工作于極寬的頻段范圍。MAX19996A提供完全集成的下變頻通道，具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)轉(zhuǎn)換增益和9.8dB (典型值)噪聲系數(shù)。此外，器件具有業(yè)內(nèi)最佳的2LO-2RF雜散抑制：-10dBm RF電平下為67dBc，-5dBm RF電平下為
- 關(guān)鍵字： Maxim 混頻器 BiCMOS MAX19996A SiGe
bicmos介紹
雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體
BiCMOS
bipolar compIementary metal oxide semiconductor
將雙極器件的線性和速度與CMOS的低耗用功率、低熱耗散和較高密度相結(jié)合的集成電路工藝。它可以工作在ECL，(發(fā)射極耦合邏輯)電平或TTL(晶體管-晶體管邏輯)電平，并廣泛用于混合信號(hào)器件。應(yīng)用（１） 通信用數(shù)字邏輯電路、數(shù)字部件和門(mén)陣列等 由第二 [ 查看詳細(xì) ]
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