cgd 文章 進(jìn)入cgd技術(shù)社區(qū)
CGD和QORVO將徹底改變電機(jī)控制解決方案
- 2024年11月12日 英國劍橋- 無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD今日與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商Qorvo? (納斯達(dá)克股票代碼: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN?評估套件（EVK），將行業(yè)領(lǐng)先的電機(jī)控制和能效技術(shù)整合在一起。該EVK具有Qorvo的高性能無刷直流（BLDC）/永磁同步（PMSM）電機(jī)控制器/驅(qū)動器和CGD易于使用的I
- 關(guān)鍵字： CGD QORVO 電機(jī)控制
CGD為電機(jī)控制帶來GaN優(yōu)勢
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）應(yīng)用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
- 關(guān)鍵字： CGD 電機(jī)控制 GaN
CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，
- 關(guān)鍵字： CGD 數(shù)據(jù)中心 逆變器 GaN 功率IC
CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場信息、實(shí)現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團(tuán)隊，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗
- 關(guān)鍵字： CGD GaN 電源開發(fā)
CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商，專注于各種應(yīng)用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
- 關(guān)鍵字： CGD 群光電能 GaN 生態(tài)系統(tǒng)
CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎。CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量生產(chǎn)，將典型外部驅(qū)動電路的復(fù)雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級的元件數(shù)量，并顯著提高功率晶體管和整個系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： CGD ICeGaN HEMT 臺積電
| 共6條 1/1 1 |
cgd介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cgd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cgd的理解，并與今后在此搜索cgd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cgd的理解，并與今后在此搜索cgd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473