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          一種采用CMOS 0.18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片上天線

          • 采用標(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝設(shè)計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長1.6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試,結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz,具有小型化的性能,同時具備三次諧波抑制的功能。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  EBG  制造  天線    

          抑制SSN的新型內(nèi)插L-EBG結(jié)構(gòu)

          • 本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新型結(jié)構(gòu),對于同步開關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們設(shè)計的這款新型EBG結(jié)構(gòu),是在周期性L-bridge EBG結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,在一些單元內(nèi)插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗證,此結(jié)構(gòu)具有傳統(tǒng)型L-bridge EBG結(jié)構(gòu)所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結(jié)構(gòu)上下變頻。另外,通過3-D
          • 關(guān)鍵字: EBG  SSN  電源完整性   IR-Drop  201607  

          抑制同步開關(guān)噪聲的超帶寬電磁帶隙結(jié)構(gòu)的研究

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 同步開關(guān)  噪聲  超帶寬  電磁帶隙結(jié)構(gòu)  EBG  

          基于EBG結(jié)構(gòu)的方向圖可重構(gòu)天線設(shè)計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: EBG  可重構(gòu)天線  U型縫隙微帶天線  方向圖可重構(gòu)  

          一種采用CMOS 0.18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片上天線

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: EBG  片上天線  

          一種采用CMOS 0.18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片

          • 采用標(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝設(shè)計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長1.6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試,結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz,具有小型化的性能,同時具備三次諧波抑制的功能。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  EBG  制造  天線    
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          ebg介紹

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