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Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)嚴(yán)苛環(huán)境下出色的電路保護(hù)
- 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護(hù)。即便有閃電、太陽(yáng)活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運(yùn)行。Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過(guò)25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級(jí)別、極性和認(rèn)證標(biāo)
- 關(guān)鍵字： TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
EFT干擾：如何避開(kāi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的彎路
- 摘要： 從EFT的特性及本質(zhì)問(wèn)題出發(fā)，分析產(chǎn)品的EFT干擾路徑，并采取相應(yīng)濾波及阻斷措施，使電源端口的脈沖群干擾傳導(dǎo)或輻射到用電單元時(shí)，不會(huì)影響用電設(shè)備的正常工作。這樣來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品整個(gè)抗擾度的提升。 關(guān)于EFT的干擾問(wèn)題，主要分實(shí)際應(yīng)用及認(rèn)證測(cè)試兩塊。在實(shí)際應(yīng)用中，可能會(huì)遇到在大功率電機(jī)或電閘進(jìn)行操作時(shí)，會(huì)影響到控制電路正常工作，我們需要進(jìn)行整改，以滿足功能要求。在一些強(qiáng)制認(rèn)證產(chǎn)品中，需要通過(guò)相關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，具體標(biāo)準(zhǔn)因產(chǎn)品種類不同而不同。 圖1 EFT試驗(yàn)
- 關(guān)鍵字： EFT 電源模塊
如何測(cè)試單片機(jī)系統(tǒng)的可靠性
- 有網(wǎng)友希望了解用用什么方法來(lái)測(cè)試單片機(jī)系統(tǒng)的可靠性，鄧宏杰指出：“當(dāng)一個(gè)單片機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)完成，對(duì)于不同的單片 ...
- 關(guān)鍵字： 單片機(jī)系統(tǒng) 開(kāi)關(guān)電源 ESD EFT
EFT/ESD問(wèn)題的測(cè)量和定位
- 大部分電子產(chǎn)品需要通過(guò)電快速瞬變脈沖群（EFT）（根據(jù)IEC61000-4-4）和靜電放電（ESD）(根據(jù)IEC61000-4-2)等項(xiàng)目的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。EFT和ESD是兩種典型的突發(fā)干擾，EFT信號(hào)單脈沖的峰值電壓可高達(dá)4kV，上升沿5ns。接觸放電測(cè)試時(shí)的ESD信號(hào)的峰值電壓可高達(dá)8kV，上升時(shí)間小于1ns。這兩種突發(fā)干擾，都具有突發(fā)、高壓、寬頻等特征。 在進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的EFT/ESD測(cè)試時(shí)，把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部，同時(shí)監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒(méi)有通過(guò)這些標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試，測(cè)試本身幾乎不能提
- 關(guān)鍵字： EFT/ESD 測(cè)量 測(cè)試
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eft介紹
EFT（Electrical Fast Transient/burst ）電快速瞬變脈沖群
試驗(yàn)波形電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)，目的是驗(yàn)證由閃電、接地故障或切換電感性負(fù)載而引起的瞬時(shí)擾動(dòng)的抗干擾能力。這種試驗(yàn)是一種耦合到電源線路、控制線路、信號(hào)線路上的由許多快速瞬變脈沖組成的脈沖群試驗(yàn)。此波形不是感性負(fù)載斷開(kāi)的實(shí)際波形（感性負(fù)載斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的干擾幅度是遞增的），而實(shí)驗(yàn)所采用的波形使實(shí)驗(yàn)等級(jí)更為 [ 查看詳細(xì) ]
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