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          安森美半導體推出兩款靜電放電保護器件

          •   全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm,令工作的硅片百分之百地利用封裝面積,與采用塑模封裝的產(chǎn)品相比,提供顯著的性能/電路板面積比優(yōu)勢。   安森美半導體采用這新型封裝的首批產(chǎn)品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G,擴展了公司高性能片外ESD保護產(chǎn)品系列。安森美
          • 關(guān)鍵字: 安森美  ESD  ESD11N  ESD11B  
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          esd11b介紹

          安森美半導體推出的采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件 ESD11B這15 pF器件,將安森美半導體的低鉗位電壓ESD保護技術(shù)擴展至新的0201 DSN-2封裝,為需要以有限空間設計緊湊電路板的通用及低速數(shù)據(jù)線路提供保護選擇。 [ 查看詳細 ]

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