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euv曝光技術(shù)
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東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即
- 東芝在荷蘭阿斯麥(ASML)公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/Brion Computational Lithography Seminar 2010”會(huì)議上，展望了引進(jìn)EUV(超紫外線)曝光技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的前景。東芝統(tǒng)管光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)的東木達(dá)彥表示“即將采用EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)(NAND閃存)”。
- 關(guān)鍵字： 東芝 EUV曝光技術(shù)
EUV：終極的曝光技術(shù)
- 面向超越22nm工藝的最尖端半導(dǎo)體而正在研發(fā)的新技術(shù)——采用13.5nm這一超短波長(zhǎng)的新一代曝光技術(shù)EUV(extreme ultraviolet)即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體的極小線寬，因而被稱為“終極的曝光技術(shù)”。另一方面，與現(xiàn)有的曝光技術(shù)相比，用于批量生產(chǎn)的技術(shù)壁壘非常高，所以至今為止仍無(wú)法擺脫“夢(mèng)幻”技術(shù)的色彩。與以往的曝光技術(shù)相比，其技術(shù)壁壘之高主要體現(xiàn)在光源波長(zhǎng)非常小上。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 EUV曝光技術(shù)
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euv曝光技術(shù)介紹
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