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飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列
- 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV的ESD(HBM)電壓保護(hù)，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用(如筆記本電腦和手機)的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench工藝，這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式
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