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          未來展望——FSI 和BSI 圖像傳感器技術(shù)

          • 過去30年中,聚光技術(shù)和半導(dǎo)體制造工藝的創(chuàng)新對圖像傳感器像素技術(shù)產(chǎn)生了重大影響。例如,最初便攜式攝像機(jī)采用...
          • 關(guān)鍵字: FSI  BSI  圖像傳感器  

          FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造

          •   美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估??蛻?/li>
          • 關(guān)鍵字: FSI  NAND  存儲器  

          FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造

          •   全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺能力給予肯定。除了
          • 關(guān)鍵字: FSI  半導(dǎo)體  NAND  

          客戶充分肯定采用FSI清洗技術(shù)可實(shí)現(xiàn)成品率提高

          •   FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)日前宣布,在上月于以色列、意大利、法國和德國舉辦知識服務(wù)系列研討會(KSS)上,公司多家客戶的專題報告中肯定了FSI清洗技術(shù)在芯片制造中對成品率的提高起到了顯著的作用。包括意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、Numonyx B.V.、Tower半導(dǎo)體有限公司、奇夢達(dá)(Qimonda AG)、CEA Leti在內(nèi)的FSI客戶,都在其報告中對基于FSI創(chuàng)新型清洗產(chǎn)品的先進(jìn)工藝進(jìn)行描述,并提交了多種不同生產(chǎn)應(yīng)用中的成品率提升數(shù)據(jù)記錄。   &ldqu
          • 關(guān)鍵字: FSI  清洗技術(shù)  芯片  

          OMNIVISION 顛覆數(shù)字影像世界 推出OmniBSITM 架構(gòu)

          •   全球最大的 CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)影像傳感器供應(yīng)商 OmniVision Technologies, Inc. (NASDAQ: OVTI) 今天推出了 OmniBSITM 架構(gòu),這種新型傳感器的設(shè)計采用了與傳統(tǒng) CMOS 影像傳感器技術(shù)截然不同的方法。OmniBSI 采用背面照度 (BSI) 技術(shù),使得 OmniVision 能夠在提供更出色影像質(zhì)量的同時將其像素尺寸降低到0.9微米,這是數(shù)字影像技術(shù)不斷小型化的關(guān)鍵。在其長期鑄造和工藝技術(shù)合作伙伴臺灣積體電路制造股份有限公司 (Taiwa
          • 關(guān)鍵字: OMNIVISION  CMOS  BSI  FSI  

          FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)

          •   FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過實(shí)現(xiàn)這一新的工藝,IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過程中,大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù),并將用于升級最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場安裝的系統(tǒng)。   鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件,因為它的阻抗更低,從而可實(shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但
          • 關(guān)鍵字: FSI  IC    半導(dǎo)體材料  

          FSI國際宣布在硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)取得突破

          •   FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過實(shí)現(xiàn)這一新的工藝,IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過程中,大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù),并將用于升級最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場安裝的系統(tǒng)。   鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件,因為它的阻抗更低,從而可實(shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但
          • 關(guān)鍵字: FSI  硅化物  邏輯器件  嵌入式  

          歐洲IC制造商訂購多套ANTARES®超凝態(tài)過冷動力學(xué)清洗系統(tǒng)

          • FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)今日宣布:一家領(lǐng)先的歐洲集成電路制造商在現(xiàn)場評估項目成功地驗證了缺陷排除之后,已經(jīng)購買多套ANTARES®CX超凝態(tài)過冷動力學(xué)清洗系統(tǒng)。這些系統(tǒng)將用于先進(jìn)器件平面結(jié)構(gòu)或元件結(jié)構(gòu)的前段(FEOL)和后段(BEOL)中缺陷排除。這批系統(tǒng)的營業(yè)收入預(yù)計將記錄在2005財年的前半年。   “由于超強(qiáng)的工藝性能,ANTARES系統(tǒng)正被應(yīng)用于大批量的制造中,”FSI國際有限公司董事長兼首席執(zhí)行官Don Mitchell說到,“該客戶和其他客戶發(fā)現(xiàn)AN
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