fsi 文章 進(jìn)入fsi技術(shù)社區(qū)
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估??蛻?/li>
- 關(guān)鍵字: FSI NAND 存儲器
FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字: FSI 半導(dǎo)體 NAND
客戶充分肯定采用FSI清洗技術(shù)可實(shí)現(xiàn)成品率提高
- FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)日前宣布,在上月于以色列、意大利、法國和德國舉辦知識服務(wù)系列研討會(KSS)上,公司多家客戶的專題報告中肯定了FSI清洗技術(shù)在芯片制造中對成品率的提高起到了顯著的作用。包括意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、Numonyx B.V.、Tower半導(dǎo)體有限公司、奇夢達(dá)(Qimonda AG)、CEA Leti在內(nèi)的FSI客戶,都在其報告中對基于FSI創(chuàng)新型清洗產(chǎn)品的先進(jìn)工藝進(jìn)行描述,并提交了多種不同生產(chǎn)應(yīng)用中的成品率提升數(shù)據(jù)記錄。 &ldqu
- 關(guān)鍵字: FSI 清洗技術(shù) 芯片
OMNIVISION 顛覆數(shù)字影像世界 推出OmniBSITM 架構(gòu)
- 全球最大的 CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)影像傳感器供應(yīng)商 OmniVision Technologies, Inc. (NASDAQ: OVTI) 今天推出了 OmniBSITM 架構(gòu),這種新型傳感器的設(shè)計采用了與傳統(tǒng) CMOS 影像傳感器技術(shù)截然不同的方法。OmniBSI 采用背面照度 (BSI) 技術(shù),使得 OmniVision 能夠在提供更出色影像質(zhì)量的同時將其像素尺寸降低到0.9微米,這是數(shù)字影像技術(shù)不斷小型化的關(guān)鍵。在其長期鑄造和工藝技術(shù)合作伙伴臺灣積體電路制造股份有限公司 (Taiwa
- 關(guān)鍵字: OMNIVISION CMOS BSI FSI
FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)
- FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過實(shí)現(xiàn)這一新的工藝,IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過程中,大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù),并將用于升級最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場安裝的系統(tǒng)。 鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件,因為它的阻抗更低,從而可實(shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但
- 關(guān)鍵字: FSI IC 硅 半導(dǎo)體材料
FSI國際宣布在硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)取得突破
- FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過實(shí)現(xiàn)這一新的工藝,IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過程中,大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù),并將用于升級最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場安裝的系統(tǒng)。 鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件,因為它的阻抗更低,從而可實(shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。但
- 關(guān)鍵字: FSI 硅化物 邏輯器件 嵌入式
歐洲IC制造商訂購多套ANTARES®超凝態(tài)過冷動力學(xué)清洗系統(tǒng)
- FSI國際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)今日宣布:一家領(lǐng)先的歐洲集成電路制造商在現(xiàn)場評估項目成功地驗證了缺陷排除之后,已經(jīng)購買多套ANTARES®CX超凝態(tài)過冷動力學(xué)清洗系統(tǒng)。這些系統(tǒng)將用于先進(jìn)器件平面結(jié)構(gòu)或元件結(jié)構(gòu)的前段(FEOL)和后段(BEOL)中缺陷排除。這批系統(tǒng)的營業(yè)收入預(yù)計將記錄在2005財年的前半年。 “由于超強(qiáng)的工藝性能,ANTARES系統(tǒng)正被應(yīng)用于大批量的制造中,”FSI國際有限公司董事長兼首席執(zhí)行官Don Mitchell說到,“該客戶和其他客戶發(fā)現(xiàn)AN
- 關(guān)鍵字: FSI
共8條 1/1 1 |
fsi介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條fsi!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對fsi的理解,并與今后在此搜索fsi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對fsi的理解,并與今后在此搜索fsi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473