gan器件文章進(jìn)入gan器件技術(shù)社區(qū)

泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

_____近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作迎來(lái)又一重要里程碑，雙方攜手對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN器件進(jìn)行了深入測(cè)試與評(píng)估，成果斐然，為該器件在高端應(yīng)用市場(chǎng)的拓展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。此前，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體憑借其在高壓GaN器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，已成功推出多款產(chǎn)品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級(jí)的突破，相較于1200V器件實(shí)現(xiàn)了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌難題，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體采用了獨(dú)具匠心的極化超級(jí)結(jié)（PSJ）技術(shù)，并對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行了深度優(yōu)化，使得器件不僅額定工作電壓大幅提升至17
關(guān)鍵字：泰克遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 GaN器件

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。近年來(lái)，在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設(shè)備的需求日益增長(zhǎng)，電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會(huì)課題，而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外，不僅在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域，在工業(yè)設(shè)備和社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施監(jiān)控等領(lǐng)域應(yīng)用也非常廣泛的LiDAR*1，也需要通過(guò)高速脈沖激光照射來(lái)進(jìn)一步提高識(shí)別精度。在這類(lèi)應(yīng)用中，必須使用高速開(kāi)關(guān)器件，因此，ROHM在推出支持高速開(kāi)關(guān)的GaN器件的同時(shí)，還
關(guān)鍵字： ROHM GaN器件高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達(dá)到業(yè)界超高水平。通過(guò)將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
關(guān)鍵字： ROHM GaN器件超高速驅(qū)動(dòng)控制

1? ?羅姆看好哪類(lèi)GaN功率器件的市場(chǎng)機(jī)會(huì)？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應(yīng)用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開(kāi)關(guān)特性出色，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域中，作為有助于降低各種開(kāi)關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望（如圖1、圖2）。GaN 器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻工作性能。具體在汽車(chē)行業(yè)可應(yīng)用于車(chē)載OBC、48 VDC/DC 轉(zhuǎn)換器（如圖3）。2? &nb
關(guān)鍵字： 202201 GaN器件羅姆

　　市場(chǎng)研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場(chǎng)的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應(yīng)用，在微波射頻功率半導(dǎo)體器件方面的開(kāi)銷(xiāo)將持續(xù)增長(zhǎng)。ABI Research預(yù)計(jì)，微波射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望在2019年之前超過(guò)3億美元。點(diǎn)到點(diǎn)通信、衛(wèi)星通信、各種雷達(dá)和新型工業(yè)/醫(yī)療應(yīng)用都將從這些大功率GaN器件的應(yīng)用中獲益。　　“當(dāng)砷化鎵(GaAs)器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時(shí)候，GaN器件將促進(jìn)增長(zhǎng)。”ABI研究公司市場(chǎng)調(diào)研總監(jiān)L
關(guān)鍵字：微波射頻 GaN器件

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： GaN器件 AMO技術(shù) 高效率寬帶寬基站收發(fā)器功率放大器

　　超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之一，并在射頻領(lǐng)域中受寵，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出針對(duì)這些市場(chǎng)的GaN產(chǎn)品。另外包括IR、ST、富士通、松下，以及新晉的EPC(宜普)公司等都介入到GaN器件市場(chǎng)。
關(guān)鍵字：硅功率MOSFET GaN器件

共7條 1/1 1

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條gan器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)gan器件的理解，并與今后在此搜索gan器件的朋友們分享。創(chuàng)建詞條