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泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度
- _____近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應(yīng)用市場的拓展注入強勁動力。此前，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體憑借其在高壓GaN器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，已成功推出多款產(chǎn)品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級的突破，相較于1200V器件實現(xiàn)了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見的電流崩塌難題，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體采用了獨具匠心的極化超級結(jié)（PSJ）技術(shù)，并對生產(chǎn)工藝進行了深度優(yōu)化，使得器件不僅額定工作電壓大幅提升至17
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ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動器IC
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動GaN器件的柵極驅(qū)動器IC“BD2311NVX-LB”。近年來，在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設(shè)備的需求日益增長，電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題，而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外，不僅在自動駕駛領(lǐng)域，在工業(yè)設(shè)備和社會基礎(chǔ)設(shè)施監(jiān)控等領(lǐng)域應(yīng)用也非常廣泛的LiDAR*1，也需要通過高速脈沖激光照射來進一步提高識別精度。在這類應(yīng)用中，必須使用高速開關(guān)器件，因此，ROHM在推出支持高速開關(guān)的GaN器件的同時，還
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ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動控制”IC 技術(shù)
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅(qū)動控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進一步改進了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
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GaN器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實現(xiàn)出色的高頻工作性能
- 1? ?羅姆看好哪類GaN功率器件的市場機會？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應(yīng)用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開關(guān)特性出色，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域中，作為有助于降低各種開關(guān)電源的功耗并實現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望（如圖1、圖2）。GaN 器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實現(xiàn)出色的高頻工作性能。具體在汽車行業(yè)可應(yīng)用于車載OBC、48 VDC/DC 轉(zhuǎn)換器（如圖3）。2? &nb
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ABI Research：2019年微波射頻市場規(guī)模超3億
- 市場研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應(yīng)用，在微波射頻功率半導(dǎo)體器件方面的開銷將持續(xù)增長。ABI Research預(yù)計，微波射頻半導(dǎo)體市場規(guī)模有望在2019年之前超過3億美元。點到點通信、衛(wèi)星通信、各種雷達和新型工業(yè)/醫(yī)療應(yīng)用都將從這些大功率GaN器件的應(yīng)用中獲益。 “當(dāng)砷化鎵(GaAs)器件目前成為微波射頻功率領(lǐng)域的主流的時候，GaN器件將促進增長?！盇BI研究公司市場調(diào)研總監(jiān)L
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