igbt功率模塊 文章 進(jìn)入igbt功率模塊技術(shù)社區(qū)
公共電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施面臨的挑戰(zhàn)
- 與Rudy Ramos一起，了解面向設(shè)計(jì)工程師的各種有趣、新奇和值得關(guān)注的動態(tài)。雖然電動汽車 (EV) 越來越普及，但電動汽車車主在充電和出行時(shí)也遇到了一些問題。公共電動汽車充電樁所面臨的一個重要問題就是一些電動汽車駕駛員缺乏相關(guān)禮儀， 比如在電池幾乎充滿的情況下仍會長時(shí)間占用充電樁的霸位行為。在本文中，我們將帶大家一起探討公共電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施面臨的其他挑戰(zhàn)。充電效率問題電動汽車充電方式不同導(dǎo)致充電時(shí)間有所不同，這一情況有時(shí)會被誤解為是惡意占用的不禮貌行為，而不會聯(lián)想到效率問題。正如智能手機(jī)和筆記本電
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Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造，為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級導(dǎo)通或開關(guān)損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)
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igbt功率模塊介紹
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域?！ ,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣，以免產(chǎn)生靜電而擊穿，所以包裝時(shí)將G極和E極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料，將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸，直到G極管腳進(jìn)行永久性連接?！ 、主電路用螺絲 [ 查看詳細(xì) ]
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