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SEMICON China | 探討熱點(diǎn)與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦
- 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇2022”在上海國(guó)際會(huì)議中心成功舉辦。共有19位來(lái)自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場(chǎng)做報(bào)告分享。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括：開(kāi)幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國(guó)際論壇從2016年開(kāi)始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺(tái)上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 InP
2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計(jì)
- 對(duì)In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測(cè)器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ)，結(jié)合器件特性設(shè)計(jì)了一個(gè)2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成，并對(duì)讀出電路的時(shí)序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計(jì)。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲(chǔ)能力為5×107個(gè)，功耗小，噪聲低，設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)期要求。
- 關(guān)鍵字： InGaAs APD InP 低噪聲
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