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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)的超結(jié)MOSFET為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能
- 意法半導(dǎo)體的MDmesh? DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復(fù)體二極管，將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓?fù)?、零電壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里?！ Dmesh DM6 MOSFET利用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的載流子壽命控制技術(shù)減少反向恢復(fù)時間(trr)，最大限度地降低續(xù)流后關(guān)斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復(fù)軟度增強(qiáng)了產(chǎn)品可靠性。此外，極低的柵極電荷(Qg)和導(dǎo)通電阻(RDS
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