半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)

• 　　通用測試 　　電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 　　這類測量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實驗室和半導(dǎo)體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
• 關(guān)鍵字： 吉時利  C-V測試  半導(dǎo)體  MOSFET  MOSCAP