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恒憶推出新系列相變存儲器
- 恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(PCM)的創(chuàng)新者,今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術,具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性,適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),并向市場供貨。 這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身,一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。今天,新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM,其寫入速度有
- 關鍵字: NUMONYX PCM 相變存儲器
DRAM好 3年LED電視滲透率升
- 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天,會場聚焦DRAM、手機和LED產(chǎn)業(yè),業(yè)者紛紛釋出樂觀看法,包括DRAM未來2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂觀,LED背光液晶電視年底滲透率上看35%. 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天,今天會議部份正式展開,并邀請到意法半導體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問暨前任資深主管Rolf Seibl演講,暢談中國大陸山寨手機市場。他指出,中國手機市場有8成是山寨手機,所以聯(lián)發(fā)科市場廣大。 今天受邀出席論壇演講的華亞科總經(jīng)理高啟全指出
- 關鍵字: Numonyx DRAM LED 手機
Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場
- 據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內(nèi)存市場的情形。 2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。 “這標志這個市場連續(xù)第三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產(chǎn)品領域的需求推動,包括液晶電視、手機和電腦。需
- 關鍵字: Numonyx NOR閃存 液晶電視
Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場
- 據(jù)iSuppli公司,經(jīng)濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈,類似于整體內(nèi)存市場的情形。 2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元,比第三季度的12.2億美元增長0.7%。 “這標志這個市場連續(xù)第三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕,營業(yè)額下降到不足10億美元,”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲分析師Michael Yang表示,“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產(chǎn)品領域的需求推動,包括液晶電視、手機和電腦。需
- 關鍵字: Numonyx NOR 內(nèi)存
恒憶躍居世界最大NOR閃存供應商
- 盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級,進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球存儲器解
- 關鍵字: Numonyx NAND NOR閃存 PCM
恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景
- 盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級,進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。 展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球
- 關鍵字: Numonyx NAND NOR閃存
Numonyx與Intel在相變存儲研究中取得關鍵性突破
- 相變存儲 (PCM) 是一項結合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術,恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 今天宣布雙方在該領域得研究中取得關鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測試芯片,對于隨機存取非易失性存儲器及存儲應用而言,這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲裝置。 上述發(fā)現(xiàn)是 Numonyx 與 Intel 長久以來共同進行的一項研究計劃的成果,該計劃的目的著重于研究多層式或堆棧式 PCM 單元陣列。
- 關鍵字: Numonyx PCM PCMS
2009 年11月2日,恒憶與英特爾在堆棧式交叉點相變存儲技術方面取得里程碑式成果
- 2009 年11月2日,相變存儲 (PCM) 是一項結合了現(xiàn)今多種存儲產(chǎn)品類型的不同優(yōu)點的非易失性內(nèi)存技術,恒憶 (Numonyx) 與英特爾 (Intel) 宣布雙方在該領域得研究中取得關鍵性突破。研究人員得以首次演示能夠在單一芯片堆棧多層 PCM 陣列的 64Mb 測試芯片,對于隨機存取非易失性存儲器及存儲應用而言,這些發(fā)現(xiàn)有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存儲裝置。
- 關鍵字: Numonyx
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