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南韓加速研發(fā)新興存儲器與材料，穩(wěn)固龍頭地位
- 南韓為穩(wěn)固全球記憶體龍頭地位，在產(chǎn)業(yè)通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導(dǎo)下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業(yè)為投資要角的產(chǎn)官學(xué)新合作研發(fā)模式，亦將次世代非揮發(fā)性記憶體與新興材料、技術(shù)列為研發(fā)重點(diǎn)。 2013~2017年南韓將引進(jìn)由政府與企業(yè)共同提供資金給學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)研發(fā)的新合作模式，研發(fā)成果的智財權(quán)將由學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業(yè)運(yùn)用的可能性。 觀察2013~2017年
- 關(guān)鍵字： 三星 PRAM IC設(shè)計
爾必達(dá)停止研發(fā)PRAM
- 日刊工業(yè)新聞報導(dǎo)，由于擴(kuò)展應(yīng)用范圍及降低成本不易，爾必達(dá)(Elpida)計劃停止研發(fā)相位變化隨機(jī)存取存儲器 (PRAM)。 爾必達(dá)監(jiān)于30納米技術(shù)已是DRAM產(chǎn)品細(xì)微化的技術(shù)極限，遂轉(zhuǎn)而研發(fā)PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產(chǎn)品，然爾必達(dá)社長本幸雄認(rèn)為PRAM成本很難降到比Flash低，且應(yīng)用范圍難以擴(kuò)大，故決定停止研發(fā)該產(chǎn)品。日后研發(fā)重心將轉(zhuǎn)至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術(shù)。 爾必達(dá)于2009年內(nèi)已開始量產(chǎn)40納米技術(shù)DRAM產(chǎn)品，緊接著將朝
- 關(guān)鍵字： Elpida 30納米 PRAM
存儲芯片市場前景令人堪憂
- 去年，一場嚴(yán)重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領(lǐng)域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務(wù)報告顯示，由于計算機(jī)存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(dá)(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達(dá)1.132億美元。臺灣地區(qū)廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。 存儲芯片市場陰霾的表現(xiàn)，迫使許多廠商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
現(xiàn)代半導(dǎo)體獲Ovonyx授權(quán) 加入PRAM研發(fā)陣營
- PRAM內(nèi)存的處理速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于閃存，理論上其寫入數(shù)據(jù)速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達(dá)到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲器以及功能更強(qiáng)大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。 三星電子、IBM、奇夢達(dá)、意法半導(dǎo)體以及英特爾公司，都在積極進(jìn)行PRAM存儲產(chǎn)品的研發(fā)。 全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡單許多，三星公司于去年開發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預(yù)計最早可在2008年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 此外，IBM與多家內(nèi)存廠商合作，共同開發(fā)出一
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 現(xiàn)代 Ovonyx PRAM MCU和嵌入式微處理器
新興存儲技術(shù)突破多 大規(guī)模商用待考
- 最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲技術(shù)一定感覺到既有近憂，又有遠(yuǎn)慮，因?yàn)樾滦痛鎯夹g(shù)PRAM(相變存儲器)、MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)及FRAM(鐵電儲存器)表現(xiàn)活躍，大有取而代之的勢頭。不過，雖然上述新興技術(shù)具有很多優(yōu)點(diǎn)，并有各自不同的取代對象，但是，它們要經(jīng)歷大規(guī)模商用的考驗(yàn)。 新興存儲技術(shù)發(fā)展快 與目前主流的存儲技術(shù)相比，PRAM、MRAM和FRAM普遍具有非易失、重復(fù)擦寫次數(shù)多等特點(diǎn)，它們在近兩年取得了令人興奮
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 存儲技術(shù) PRAM
DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
- 4月19日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機(jī)存取存儲器（PRAM）有潛力取代當(dāng)前的DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。 在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。 Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
- 關(guān)鍵字： DRAM PRAM 存儲器
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