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rds(on) 文章 進(jìn)入rds(on)技術(shù)社區(qū)
如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
- SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，如碳化硅共源共柵結(jié)構(gòu)FET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC FET”）和SiC MOSFET的性能與其封裝密切相關(guān)。在純技術(shù)層面，納秒級(jí)的開(kāi)關(guān)速度和較低的比導(dǎo)通電阻帶來(lái)非常低的損耗；在相同的芯片
- 關(guān)鍵字： Qorvo RDS
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試周期。我們的預(yù)測(cè)性離散建模可以進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
英飛凌 650 V CoolSiC? MOSFET 系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿(mǎn)足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其 600V/650V 細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān) Steffen Metzge r表示，“這凸顯了
- 關(guān)鍵字： RDS 柵極驅(qū)動(dòng)器
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在貿(mào)澤開(kāi)售
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售?Maxim Integrated?的MAX22701E?隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品，屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 (CMTI)，用于驅(qū)動(dòng)各種逆變器或?電機(jī)控制?應(yīng)用中的碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 晶體管。????
- 關(guān)鍵字： UPS RDS
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
- 關(guān)鍵字： 安世半導(dǎo)體 MOSFET RDS(on)
車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、車(chē)載多媒體的16個(gè)經(jīng)典設(shè)計(jì)案例
- 隨電子技術(shù)和智能終端設(shè)備的發(fā)展，作為其重要應(yīng)用之一的汽車(chē)電子正呈現(xiàn)爆炸式的增長(zhǎng)，其中車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和車(chē)載多媒體的設(shè)計(jì)向更注重用戶(hù)體驗(yàn)的方向邁進(jìn)，這里匯集16款經(jīng)典設(shè)計(jì)案例和大家分享車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面的最新技術(shù)動(dòng)向。
- 關(guān)鍵字： 車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng) 車(chē)載多媒體 無(wú)線(xiàn)音頻傳送 RDS
淺談RDS的功能設(shè)計(jì)及其在車(chē)載音響中的實(shí)現(xiàn)
- 調(diào)頻廣播(FM)一直在人們的娛樂(lè)生活中占有非常重要的地位，廣大從事消費(fèi)電子設(shè)計(jì)的廠(chǎng)商都在諸如MP3、智能手機(jī)、PDA等產(chǎn)品中嵌入FM部分。而RDS數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng)(Radio Data System)正是利用調(diào)頻立體聲中的副載波，在傳輸音
- 關(guān)鍵字： RDS 車(chē)載音響 中的實(shí)現(xiàn)
RDS廣播系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用研究
- 一、課題名稱(chēng)及來(lái)源近年來(lái)，世界上出現(xiàn)了一些數(shù)據(jù)系統(tǒng)廣播電臺(tái)。在歐洲稱(chēng)為RDS(Radio Data System)，即無(wú)線(xiàn)電數(shù)據(jù)系統(tǒng)。在美國(guó)稱(chēng)為RBDS(Radio Broadcast Data System)，即無(wú)線(xiàn)電廣播數(shù)據(jù)。無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)廣播系統(tǒng)，是指在
- 關(guān)鍵字： 研究 應(yīng)用 設(shè)計(jì) 廣播系統(tǒng) RDS
基于S1473X的RDS功能設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 基于S1473X的RDS功能設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),摘要：介紹了RDS功能在車(chē)栽音響系統(tǒng)中的應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)，并設(shè)計(jì)低功耗硬件電路以適應(yīng)車(chē)載供電的要求。RDS功能采用S1473X嵌入式芯片實(shí)現(xiàn)，通過(guò)軟件編程實(shí)現(xiàn)了帶RDS的數(shù)字調(diào)頻立體收音功能，為車(chē)載音響系統(tǒng)提供調(diào)頻接收和R
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 功能 RDS S1473X 基于
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)
恩智浦半導(dǎo)體改善手機(jī)的FM RDS接收功能
- 新型 IC具有更高的性能，更小的體積，更低的功耗和成本 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，前身為飛利浦半導(dǎo)體），今天推出了一款新型芯片TEA5766。這款芯片可以使手機(jī)制造商在新產(chǎn)品中加入具有RDS功能的FM radio。RDS（無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)系統(tǒng)）早在90年代初期開(kāi)始就已經(jīng)成為歐洲汽車(chē)收音機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)功能，它能為用戶(hù)提供包括電臺(tái)名稱(chēng)、歌曲信息在內(nèi)的電臺(tái)節(jié)目相關(guān)信息，并可設(shè)置為自動(dòng)調(diào)回交通和新聞節(jié)目的狀態(tài)。 TEA5766芯片的尺寸只有它前身TEA5764
- 關(guān)鍵字： FM RDS 恩智浦半導(dǎo)體 接收功能 手機(jī) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線(xiàn) 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
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rds(on)介紹
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