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淺談融合SD-RTN：毫秒級(jí)網(wǎng)絡(luò)加速的技術(shù)變革

　　關(guān)于延遲，任正非說過：“VR需要低時(shí)延，我們還做不到，也許以后會(huì)有一些科學(xué)定理新發(fā)明，但是現(xiàn)在還沒有。所以，我們要理性認(rèn)識(shí)VR/AR的產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律，保持戰(zhàn)略耐心。AR/VR的發(fā)展速度太快，就會(huì)出現(xiàn)泡沫。為什么VR將來會(huì)有個(gè)泡沫期，關(guān)鍵是沒人能解決時(shí)延問題。”　　近幾年網(wǎng)絡(luò)直播視頻、VR/AR、競技游戲、大數(shù)據(jù)、4K高清視頻的快速增長，正在將毫秒級(jí)網(wǎng)絡(luò)加速技術(shù)推向歷史發(fā)展的潮頭。用戶的預(yù)期越來越高，他們期待“最好”的在線體驗(yàn)，網(wǎng)絡(luò)延遲會(huì)直接影響到應(yīng)用的轉(zhuǎn)化率。即有多少人可以變成你的客戶，現(xiàn)在用戶的體驗(yàn)
關(guān)鍵字： SD-RTN VR

瑞薩電子開發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。該公司已在ldquo
關(guān)鍵字： SRAM RTN 模擬方法

瑞薩電子開發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度。該公司已在ldquo
關(guān)鍵字： SRAM RTN 模擬方法

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