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強(qiáng)茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術(shù)車(chē)規(guī)級(jí)60 V N通道 突破車(chē)用電子的高效表現(xiàn)
- 隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強(qiáng)茂推出最新車(chē)規(guī)級(jí)60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(shù)(SGT)來(lái)支持汽車(chē)電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(biāo)(FOM)、超低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車(chē)電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導(dǎo)通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強(qiáng)茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
- 關(guān)鍵字： 強(qiáng)茂 SGT MOSFET 車(chē)用電子
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