3D SiC技術閃耀全場，基本半導體參展PCIM Asia引關注

• 　　6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會?！　』景雽w展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調，獨有的3D SiC?技術和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內外參展觀眾的眼球?！　∪颡殑?chuàng)3D SiC?技術　　展會期間，基本半導體技術團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術，該技術能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結構取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質量和設計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
• 關鍵字： 基本半導體  3D SiC技術  碳化硅功率器件