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          Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管,提升開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),具有高浪涌電流保護(hù)能力,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低,有助于提升開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件,采用TO-220AC?2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB
          • 關(guān)鍵字: Vishay  SiC肖特基二極管  開(kāi)關(guān)電源  

          Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管

          • 器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),額定電流4 A~ 40 A,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年5月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),具有高浪涌電流保護(hù)能力,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低,有助于提升開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
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          sic肖特基二極管介紹

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