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          SuVolta成功獲得1060萬美元風(fēng)險(xiǎn)投資
          
                                                            
            
                    	
          • 2014年1月15日，致力于為低功耗、高性能的集成電路芯片開發(fā)可擴(kuò)展式半導(dǎo)體技術(shù)的SuVolta公司宣布其已獲得1060萬美元的資金。
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          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  DRAM  物聯(lián)網(wǎng)                          
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          SuVolta發(fā)布DDC技術(shù)的電路級(jí)性能與功耗優(yōu)勢(shì)
          
                                                            
            
                    	
          • 致力于開發(fā)低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta日前發(fā)布了一項(xiàng)旨在展示其DDC(深度耗盡通道，Deeply Depleted Channel?)技術(shù)在性能和功耗方面優(yōu)勢(shì)的測(cè)試結(jié)果。該結(jié)果來自于采用SuVoltaPowerShrink?低功耗CMOS平臺(tái)設(shè)計(jì)、并由富士通半導(dǎo)體有限公司的65納米低功耗工藝制造的模擬及數(shù)字電路。
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          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  富士通  半導(dǎo)體  DDC                          
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          美半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta融資1760萬美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta已經(jīng)通過第二輪融資獲得了1760萬美元的投資。SuVolta曾和富士通開發(fā)出了一種節(jié)電芯片技術(shù)，適用于手機(jī)和平板電腦。
　　SuVolta在2010年的首輪融資中獲得了2200萬美元投資。此次融資的投資者包括了原有風(fēng)投公司Kleiner Perkins Caufield
　　& Byers、August Capital和NEA;新投資者包括Bright Capital、Northgate Capital和DAG Ventures等。
　　SuVolta首輪
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          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  節(jié)電芯片                          
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          美半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta融資1760萬美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)公司SuVolta已經(jīng)通過第二輪融資獲得了1760萬美元的投資。SuVolta曾和富士通開發(fā)出了一種節(jié)電芯片技術(shù)，適用于手機(jī)和平板電腦。
　　SuVolta在2010年的首輪融資中獲得了2200萬美元投資。此次融資的投資者包括了原有風(fēng)投公司Kleiner Perkins Caufield
　　& Byers、August Capital和NEA;新投資者包括Bright Capital、Northgate Capital和DAG
　　Ventures等。
　　SuVolt
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          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  半導(dǎo)體                          
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          富士通半導(dǎo)體與SuVolta攜手合作
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。

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          • 關(guān)鍵字：
                        富士通  SuVolta  SRAM                          
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          SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術(shù)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 致力于開發(fā)可微縮低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta今日在2011年IEDM會(huì)議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術(shù)細(xì)節(jié)。SuVolta的DDC技術(shù)是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺(tái)的組成部分。該低功耗技術(shù)已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進(jìn)的電壓降低手段，DDC技術(shù)甚至可以降低功耗達(dá)百分之八十或更多。

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          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  CMOS                           
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          SuVolta全新CMOS平臺(tái)有效降低集成電路功耗
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺(tái)。該平臺(tái)可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  CMOS                          
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          PowerShrink平面CMOS平臺(tái)有效降低IC功耗
          
                                                            
            
                    	
          • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺(tái)支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
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          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  CMOS  PowerShrink                          
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