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TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展
- 【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。 相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
- 關(guān)鍵字： TO263-7 1200V 溝槽式MOSFET 電動出行
高密度封裝的功率級、穩(wěn)壓器和電感器
- 伍爾特電子推出的 MagI3C VDRM 是 MagI3C 電源模塊產(chǎn)品系列中的一款全新直流/直流電壓轉(zhuǎn)換器，采用 TO263-7EP 封裝。轉(zhuǎn)換器的輸入電壓范圍為 6 至 42 V，可從 9 V、12 V 或 24 V 工業(yè)總線進(jìn)行轉(zhuǎn)換?！ ≡摦a(chǎn)品系列為 1 A 和 3 A 電流擴(kuò)展了兩個(gè)全新模塊，且輸出電壓可調(diào)，范圍在 0.8 至 6 V 之間。這些模塊堅(jiān)固耐用，可在最高 105°C 的環(huán)境溫度下運(yùn)行。其最高可達(dá) 97% 的高效率。TO263-7EP 封裝易于焊接，尺寸為 10.16 × 13.7
- 關(guān)鍵字： 伍爾特 TO263-7EP
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