用于檢測裸硅圓片上少量金屬污染物的互補性測量技術(shù)

• I.?前言本文旨在解決硅襯底上的污染問題，將討論三種不同的金屬污染。第一個是鎳擴散，又稱為快速擴散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個污點開始擴散的金屬污染。第二個是鉻污染，它是從Bulk體區(qū)內(nèi)部擴散到初始氧化膜[2]，并在晶圓片上形成了一層較厚的氧化物。第三個是晶圓片邊緣周圍的不銹鋼污染。本文的研究目的是根據(jù)金屬和圖1所示的污染特征找到污染的根源。圖1 三個金屬污染示例的映射圖。從左至右：鎳擴散的微掩膜缺陷圖；較厚的鉻氧化沉積層；晶圓片邊緣上不銹鋼污染電子晶圓片檢測(EWS)映射圖AI.&nb
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