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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
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移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項(xiàng)，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制，能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書當(dāng)然，接近完美的電子開關(guān)已經(jīng)存在很長一段時(shí)間了，但是我們這里要談的不是機(jī)械開關(guān)?，F(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴的是半導(dǎo)體開關(guān)，它們最好在打開時(shí)沒有電阻，在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無限大，并能在簡單驅(qū)動(dòng)下以任意快的速度在開關(guān)狀態(tài)間切換且沒有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
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介紹針對(duì)電動(dòng)汽車充電器的最佳SiC功率拓?fù)浜驼{(diào)制決策的設(shè)計(jì)技巧，利用指導(dǎo)拓?fù)浜驼{(diào)制決策，有助于消除不可行選項(xiàng)，轉(zhuǎn)而關(guān)注那些可能表現(xiàn)良好的選項(xiàng)。▎引言 ▎電動(dòng)汽車的蓄電池充電器需要在電網(wǎng)連接和蓄電池之間進(jìn)行電流隔離。因此，電動(dòng)汽車充電器幾乎總是有兩個(gè)級(jí)：一個(gè)高電能質(zhì)量整流器，將AC轉(zhuǎn)換為DC；然后是DC-DC轉(zhuǎn)換器，利用高頻變壓器進(jìn)行電流隔離。SiC FET和二極管的高開關(guān)頻率可以滿足使用“舊的”和簡單的電路拓?fù)涞某潆娖饕?，而這種拓?fù)湓诠杌_關(guān)器件中是不切實(shí)際的。例如，用于單相整流的圖騰柱功率
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UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，是不斷成長的電動(dòng)車市場(chǎng)向著800V母線車載充電器（OBC）和直流轉(zhuǎn)換器邁進(jìn)過程中的理想選擇。與前幾代一樣，新FET也非常適合工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、光伏轉(zhuǎn)換
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2022年5月11日移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）系列。
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