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VDMOS器件損傷的DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計
- 航天用DC／DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下，輻射損傷是其主要失效機理。DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個航天器的可靠性，國內(nèi)外廣泛研究了DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
- 關(guān)鍵字： DC 預(yù)兆 單元 設(shè)計 輻射 轉(zhuǎn)換器 器件 損傷 VDMOS DC／DC轉(zhuǎn)換器
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
- 分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關(guān)時間，提高器件的動態(tài)性能。
- 關(guān)鍵字： VDMOS 寄生電容
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vdmos介紹
垂直雙擴散金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點，無論是開關(guān)
應(yīng)用還是線形應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要
應(yīng)用于電機調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音
響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。
特征:
接近無限大的靜態(tài)輸入阻抗特性，非?？斓拈_關(guān)時間，導(dǎo)通
電阻正溫度系數(shù)，近似常數(shù)的跨導(dǎo)， 高 [ 查看詳細 ]
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