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          面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時VTH 測量(一)

          • 引言在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫 度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。 當前NBTI1 的JEDEC標準將“測量間歇期
          • 關鍵字: VTH  

          基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準

          • 摘要:傳統基準電路主要采用帶隙基準方案,利用二級管PN結具有負溫度系數的正向電壓和具有正溫度系數的VBE電壓得出具有零溫度系數的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
          • 關鍵字: CMOS  VTH  電壓基準    
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          vth介紹

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