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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區(qū)
NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線
- 全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月?tīng)I(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。不過(guò)，以毛利率角度來(lái)看，由于NANDFlash價(jià)格并沒(méi)有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
存儲(chǔ)器思謀發(fā)展
- 存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來(lái)的一種專(zhuān)用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱(chēng)Memory，外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱(chēng)Storage(常用磁盤(pán)、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲(chǔ)器，60年代中期以來(lái)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開(kāi)始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn)，存儲(chǔ)器獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展。
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 NAND 201105
Gartner認(rèn)為SSD將在明年成為市場(chǎng)主流
- 數(shù)年來(lái)固態(tài)硬盤(pán)正在變得越來(lái)越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤(pán)而言，這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤(pán)的價(jià)格。盡管如此，Gartner依然對(duì)SSD市場(chǎng)的前景十分看好，并認(rèn)為到2012年下半年，固態(tài)硬盤(pán)將成為市場(chǎng)的主流，并預(yù)期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì)下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價(jià)格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開(kāi)始被大眾接受。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 0 引言 計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過(guò)去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴(kuò)展。隨之而來(lái)產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
- 關(guān)鍵字： FLASH NAND 儲(chǔ)存 測(cè)試系統(tǒng)
NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換
- 2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計(jì)掌握70%以上NAND Flash市場(chǎng);根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計(jì)，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營(yíng)收成長(zhǎng)9.9%，達(dá)53.63億美元。 2011年第1季全球NAND Flash市場(chǎng)變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對(duì)
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
- 據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資
- 由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 移動(dòng)設(shè)備
美光：未來(lái)NAND Flash不求市占率但求低成本
- 由于智能型手機(jī)等行動(dòng)裝置應(yīng)用驅(qū)動(dòng)NANDFlash需求成長(zhǎng)，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來(lái)不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動(dòng)新加坡二廠。美光指出，未來(lái)NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
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