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紅海的取勝策略

手機是典型的紅海市場，很多歐美公司因此放棄了此塊業(yè)務，轉向工業(yè)、個人科技等利潤較高的藍海領域。而手機卻是我國本土芯片廠商活躍的地帶。
關鍵字：格科 CMOS 201304

手持式觸摸屏系統(tǒng)的低功耗設計

摘要：觸摸屏在移動設備中越來越受歡迎。但觸摸屏消耗的平均電流可能很大，從而會導致系統(tǒng)電池的電量快速耗盡。本文將主要探討以下內容：功耗的基礎知識、影響功耗的不同因素以及為需要提供強大性能同時節(jié)省電池使用壽命的器件設計低功耗觸摸屏系統(tǒng)。
關鍵字：觸摸屏 CMOS CPU 201304

2012年第四季度的緩解并未給半導體制造商帶來安慰

　　盡管在第四季度出現了高于預期的增長，2012年對于半導體市場和供應商來說仍然是慘淡的一年，前25家芯片制造商中僅有8家勉強維持收入增長——但是，9家芯片制造商遭受兩位數下滑。　　根據信息及分析公司IHS(紐約證券交易所：IHS)的IHS iSuppli競爭格局分析工具(CLT)的最終結果，與2011年相比，2012年的全球半導體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發(fā)布的初步預測報告中預計下降2.3%。最終結果的適度改善來自第四季度的同比增長，該增長稍微高于預期，最高實現了2
關鍵字： LED CMOS

用先進的負載點穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質量

傳統(tǒng)模擬 X 射線成像系統(tǒng)以專門的感光膠片為介質，將通過的 X 射線轉變成可視圖像。為了完成這一任務，該膠片必須經過一種化學顯影過程，這個過程可能需要幾分鐘，因此推遲了開始對病人進行治療的時間。此外，顯影過程完成以后，醫(yī)療團隊可能會發(fā)現，由于 X 射線曝光不正確，該圖像需要重新攝取。
關鍵字：凌力爾特穩(wěn)壓器 CMOS

PIC單片機學習方法

為了給前一段時間學習PIC16F616型單片機的一個總結和方便大家的交流,我寫了這篇關于PIC單片機的學習心得,都 ...
關鍵字： PIC單片機 PIC16F616 CMOS

一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結構小型化的片

采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
關鍵字： CMOS EBG 制造天線

CCD對比CMOS傳感器優(yōu)劣之分淺析

CCD及CMOS在從事機器視覺或攝影等行業(yè)的朋友來說一點也不陌生，目前雖然在價格上CMOS更有優(yōu)勢并且在技術上的進步也在穩(wěn)步推進當中，但CCD在一些重點領域中的應用并不見減少。圖像傳感器有CCD和CMOS兩種，是機器視覺攝
關鍵字：優(yōu)劣淺析傳感器 CMOS 對比 CCD

隔離技術與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應用

醫(yī)療領域與其它領域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關鍵作用，它必須是強健和可靠的，并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術的發(fā)展，更小、更可靠和高性能隔離器件出現了，如單封裝、多通道數字隔離器、AC電流感應器和隔離柵驅動器。
關鍵字：隔離器醫(yī)療系統(tǒng) CMOS

GF推出強化型55納米CMOS邏輯制程

　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點，使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。　　GLOBALFOUNDRIES產品營銷副總裁BruceKleinman表示：“‘55n
關鍵字： GF CMOS

寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析

寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析,寬動態(tài)攝像機到現在為止，究竟經歷了幾代，沒能講得清楚。就技術而言，不算背光補償技術，寬動態(tài)現有二種重要實現方式：CCD+DSP技術和CMOS+DPS技術。CCD+DSP技術：DSP芯片是一種特殊的微處理器，根據數字信號處理理論
關鍵字：解析 CCD/CMOS-DSP 攝像機監(jiān)控動態(tài)

GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程

　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?！?5nm LPe 1V”是業(yè)內首個且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點，使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。　　GLOBALFOUNDRIES產品營銷副總裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
關鍵字： GLOBALFOUNDRIES CMOS 55nm

CMOS圖像傳感器基本原理與應用簡介

摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點、問題及應對措施，以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
關鍵字： CMOS 圖像傳感器電信號

嵌入式CMOS成像器用于全息數據檢索

過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產品的開...
關鍵字： CMOS 成像器全息數據檢索

IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

擁有模擬和數字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標準兼容封裝尺寸內的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網絡、存儲、工業(yè)和FPGA等應用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
關鍵字： IDT MEMS振蕩器 CMOS

從頭到尾構建混合信號高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5)：電路仿真

Dave Ritter：嗨，Tamara博士，請到烤肉架前來。
關鍵字： CMOS 混合信號電阻器 201301

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構成的互補型MOS集成電路制造工藝，它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導通，要么NMOS導通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計算機領域，CMOS常指保存計算機基本啟動信息(如日 [ 查看詳細 ]