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          cmos digital image sensor 文章 進入cmos digital image sensor技術社區(qū)

          Sony欲強化CMOS圖像傳感器業(yè)務 不排除并購可能

          •   Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機α7R II后,將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學低通濾鏡(bandpass filter),故圖像更為銳利。像素自3,640萬提高至4,240萬,同時加強自動對焦(AF)與防手震功能。   日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)報導,該相機并有399個相位對焦點、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色,感光值(ISO)最高可達ISO 102,400,結(jié)合了高解析、高感光及高速對焦的機種,實際售價約45.1萬日圓(約3,800美
          • 關鍵字: Sony  CMOS  

          一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

          •   在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。   傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時,仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負擔,影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。   基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
          • 關鍵字: DC-DC  CMOS  

          艾邁斯半導體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

          •   全球領先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進一步擴展其行業(yè)領先的0.35µm高壓CMOS專業(yè)制程平臺?;谠摳邏褐瞥唐脚_的先進“H35”制程工藝,使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。   新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進行了優(yōu)化,顯著降低了導通電阻,因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應用中,用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
          • 關鍵字: 艾邁斯  CMOS  

          使用CMOS集成電路需注意的幾個問題

          •   集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類,TTL以速度見長,CMOS以功耗低而著稱,其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時,除了認真閱讀產(chǎn)品說明或有關資料,了解其引腳分布及極限參數(shù)外,還應注意以下幾個問題:   1、電源問題   (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V,但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時,最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬,故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
          • 關鍵字: CMOS  集成電路  

          一些常用的電平標準

          •   現(xiàn)在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等,還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。   TTL:Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。   Vcc:5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。   因為2.4V與5V之間還有很大空閑
          • 關鍵字: TTL,CMOS  

          CMOS電路中ESD保護結(jié)構(gòu)的設計要求

          •   簡介:大部分的ESD電流來自電路外部,因此ESD保護電路一般設計在PAD旁,I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內(nèi)部,因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路,將ESD電流引入電壓線,再由電壓線分布到芯片各個管腳,降低ESD的影響。   引言   靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧 厚度越來越薄,芯片的面
          • 關鍵字: CMOS  ESD  

          學習總結(jié)之電路是計算出來的

          •   簡介:不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去!   1、CS單管放大電路   共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
          • 關鍵字: CMOS  MOSFET  

          CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法

          •   簡介:CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題,即輸入端有多余的,如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法,供大家參考。   CMOS門電路   CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點,輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下
          • 關鍵字: CMOS  TTL  

          TTL與CMOS電路的區(qū)別

          •   簡介:本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。   TTL:雙極型器件,一般電源電壓 5V,速度快(數(shù)ns),功耗大(mA級),負載力大,不用端多數(shù)不用處理。   CMOS:單級器件,一般電源電壓 15V,速度慢(幾百ns),功耗低,省電(uA級),負載力小,不用端必須處理。   CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。   CMOS:它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2,因為 CMOS 的輸入時互補的,保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。   TTL:
          • 關鍵字: TTL  CMOS  

          CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理

          •   一、CMOS門電路   CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件,基于這一特點,輸入端信號易受外界干擾,所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法:   1、與門和與非門電路:由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平,輸出信號就為低電平,只有全部為高電平時,輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
          • 關鍵字: CMOS  TTL  

          我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)(3)

          •   簡介:繼續(xù)把我在學習數(shù)字電路過程中的一些“細枝末節(jié)”小結(jié)一下,和大家共享。   1、在數(shù)字電路中,BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū),放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程,這個過程越長,說明它的動態(tài)性能越差;同理,CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū),恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值,不能過于“含糊”,否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣!   2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來,這樣
          • 關鍵字: CMOS  BJT  

          學習總結(jié)之電路是計算出來的

          •   1、CS單管放大電路   共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】,則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2,但是
          • 關鍵字: CMOS  電路  

          TTL和CMOS電平總結(jié)

          •   簡介:本文總結(jié)了TTL和CMOS電平的特點、使用方式等內(nèi)容 。   1,TTL電平(什么是TTL電平):   輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是0.4V。   特點:   1.CMOS是場效應管構(gòu)成,TTL為雙極晶體管構(gòu)成   2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5~15V),TTL只能在5V下工作   3.CMOS的高
          • 關鍵字: TTL  CMOS  

          CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設備需求增

          •   微機電(MEMS)/奈米技術/半導體晶圓接合暨微影技術設備廠商EVGroup(EVG)今日宣布,該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切,在過去12個月以來,EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍,主要來自于晶圓代工廠以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應用挹注,制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術的垂直
          • 關鍵字: CMOS  3D-IC  

          CMOS影像傳感器需求熱 2015年將創(chuàng)紀錄

          •   CMOS影像傳感器迎向新一波成長。市調(diào)機構(gòu)IC Insights指出,繼手機之后,汽車、醫(yī)療影像、安全監(jiān)控、機器視覺等應用,將接棒成為驅(qū)動CMOS影像傳感器市場成長的新動能。   2015年全球CMOS影像傳感器出貨量與銷售額預估將分別創(chuàng)下三十七億顆和101億美元新高紀錄,并可望于2019年達到六十億顆及150億美元的規(guī)模。   
          • 關鍵字: CMOS  傳感器  
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          cmos digital image sensor介紹

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