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          cmos digital image sensor 文章 進入cmos digital image sensor技術社區(qū)

          一種12位50 MS/s CMOS流水線A/D轉換器

          • 摘要:采用TSMC 0.18 mu;m 1P6M工藝設計了一個12位50 MS/s流水線A/D轉換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗,該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內建的采樣保持功能,去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路,采用時間常數匹配
          • 關鍵字: 流水線  轉換器  CMOS  MS  12位  一種  

          思比科微電子籌備上市:已完成股份制改造

          •   7月10日,北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露,公司已于去年12月完成公司股份制改造,現(xiàn)已進入創(chuàng)業(yè)板輔導流程。
          • 關鍵字: 思比科  CMOS  

          APTINA榮獲成像技術創(chuàng)新大獎

          • CMOS成像技術的領先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術創(chuàng)新銅獎。
          • 關鍵字: Aptina  CMOS  

          Silicon Labs廣播收音機IC出貨量突破十億顆

          •   高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆,締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數字CMOS廣播收音機芯片廣泛應用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產品。   Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC,Si4700 IC重構了消
          • 關鍵字: Silicon-Labs  IC  CMOS  

          CMOS Sensor的調試經驗

          • 目前,包括移動設備在內的很多多媒體設備上都使用了攝像頭,而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種:CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
          • 關鍵字: Sensor  CMOS  調試  經驗    

          “寬動態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控攝像機標配

          • 寬動態(tài)攝像機作為攝像機一個非常重要的分支,在明暗反差太大、光線來源單一的場合,發(fā)揮了重要的作用。寬動...
          • 關鍵字: 寬動態(tài)攝像機  CCD+DSP  CMOS+DPS  

          CMOS振蕩器設計

          • 1 引言   集成電路是采用半導體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數字鎖相環(huán)結構如圖1 所示
          • 關鍵字: 設計  振蕩器  CMOS  

          標準有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

          • 制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣,納米技術的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術、利益和挑戰(zhàn)一樣,人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關鍵技術,抓住創(chuàng)造巨大財 富的機遇,但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術,催生很多新的研究領域,但是也可能對那些不了解
          • 關鍵字: 納米  CMOS  

          高k柵介質中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

          •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來,本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術,能夠對具有快速瞬態(tài)充電效應(FTCE)的高k柵晶體管的本征(無俘獲)性能進行特征分析。 先進CMOS器件高k柵技術的進展        近年來,高介電常數(高k)材料,例如鉿氧化物(HfO2)、鋯氧化物(ZrO2)、氧化鋁(Al2O3)以及
          • 關鍵字: 脈沖  CMOS  

          SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

          •   SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗,同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布,富士通已獲得授權使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術。   
          • 關鍵字: SuVolta  CMOS  

          安森美半導體擴充產品陣容推出緊湊150 mA器件

          • ?????? 6月9日,應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器,強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現(xiàn)有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術,均能提供150毫安(mA)的輸出電流。   NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA),輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
          • 關鍵字: 安森美  CMOS  NCP4682  

          PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

          • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
          • 關鍵字: SuVolta  CMOS  PowerShrink  

          0.18 μm CMOS帶隙基準電壓源的設計

          • 基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
          • 關鍵字: 設計  電壓  基準  CMOS  0.18  

          一種恒跨導CMOS運算放大器的設計

          • 摘要:設計了一種寬帶軌對軌運算放大器,此運算放大器在3.3 V單電源下供電,采用電流鏡和尾電流開關控制來實現(xiàn)輸入級總跨導的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數,采用用折疊式共源共柵結構作為前
          • 關鍵字: CMOS  運算放大器    

          雙眼勝過單目:大陸集團新推立體攝像機

          • 日前,大陸集團表示將推出新款立體攝像機(StereoCamera),作為其ContiGuard?安全系統(tǒng)元件之一,用于汽車前向...
          • 關鍵字: 大陸集團  立體攝像機  CMOS  CCD傳感器  
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          cmos digital image sensor介紹

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