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CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用
- 未來幾年由于消費(fèi)者對傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
- 關(guān)鍵字： CMOS 數(shù)字隔離器 智能電表 中的應(yīng)用
LDO原理結(jié)構(gòu)及應(yīng)用簡介
- LDO的種類 LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器，它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點(diǎn)在于，LDO是一個自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)?！ DO按其靜態(tài)耗流來分，分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品?！ mn
- 關(guān)鍵字： 簡介 應(yīng)用 結(jié)構(gòu) 原理 LDO
一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計
- 摘要：設(shè)計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)一個可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
- 關(guān)鍵字： CMOS 增益提高 運(yùn)算 放大器設(shè)計
AMD明年啟用28nm CMOS工藝
- AMD公司高級副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。 在評論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來應(yīng)對英特爾和NVIDI
- 關(guān)鍵字： ARM CMOS
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