cmos-ldo 文章 進入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)
基于攝像頭的賽道信息處理和控制策略實現(xiàn)
- 在去年的Freescale全國大學生智能車大賽中，賽道信息檢測方案總體上有兩大類：光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設計簡單、信息檢測頻率高，但檢測范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富，但電路設計和軟件處理較復雜，且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點并實際測試后，我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數(shù)據(jù)的前提下，討論如何對數(shù)據(jù)進行處理和控制策略的實現(xiàn)。 數(shù)據(jù)采集 我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭，用LM1881進行信號分離，結(jié)合AD采樣
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 智能車 傳感技術(shù) CMOS 攝像頭
韓國半導體代工廠MagnaChip已申請破產(chǎn)保護
- Thomson Reuters12日報導，法院相關(guān)文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據(jù)破產(chǎn)法第11章聲請破產(chǎn)保護。根據(jù)報導，MagnaChip列出的資產(chǎn)總額達5,000萬美元，負債則超過10億美元。 2004年10月自Hynix獨立出來的MagnaChip總部設于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進混合信號制程的專業(yè)半導體代工廠商，且為力旺于韓國首位取得合作的半導體代工策略
- 關(guān)鍵字： Magnachip CMOS 傳感器 液晶顯示器驅(qū)動芯片 微控制器
NEC和東芝將擴展與IBM的芯片技術(shù)協(xié)議
- NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費者產(chǎn)品的28 納米半導體技術(shù)。 這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互補型金屬氧化物半導體 (CMOS)技術(shù)。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團隊還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。 東芝公司2007年12月加
- 關(guān)鍵字： NEC CMOS 28納米 半導體
高性能小型化成霍爾傳感器未來發(fā)展方向
- 霍爾傳感器是一種基于霍爾效應的器件，它能實現(xiàn)磁電轉(zhuǎn)換，可用于檢測磁場及其變化。 霍爾效應雖然在1879年才被發(fā)現(xiàn)，但是直到20世紀50年代才出現(xiàn)了對其的應用，然而器件成本很高。1965年，人們開始將霍爾傳感器集成進硅芯片中，從而促進了霍爾器件的應用。 經(jīng)歷三大發(fā)展階段 霍爾器件的發(fā)展大致可分為三個階段： 第一階段是從霍爾效應被發(fā)現(xiàn)到20世紀40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場傳感器
- 關(guān)鍵字： 霍爾傳感器 CMOS A/D轉(zhuǎn)換器 總線接口
市場前景看好NXP潛心相變存儲器技術(shù)
- NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器(PCM)，該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。 他表示，“我們已經(jīng)看到了很好性能。下一個問題是是否繼續(xù)生產(chǎn)。”他還補充道，這一決議還未作出。PCM的關(guān)鍵優(yōu)勢在于可以在斷電時也能保存數(shù)據(jù)，作為當前環(huán)保節(jié)能戰(zhàn)略的積極響應，因此前景十分看好。預計PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。 Penning de Vries在
- 關(guān)鍵字： NXP CMOS PCM 嵌入式存儲技術(shù)
中國MEMS市場前景樂觀 汽車電子領域發(fā)展最快
- 2008年，在國際金融危機的影響下，中國網(wǎng)絡與通信類電子整機、計算機類電子整機、消費類電子整機產(chǎn)量以及汽車電子增速明顯下降，這也直接導致MEMS加速度計、MEMS壓力計、DMD(數(shù)字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風等產(chǎn)品需求量快速下滑。2008年，中國MEMS市場規(guī)模達110.6億元，同比增長21.9%，較2007年，市場增速下降接近20個百分點。 MEMS市場前景樂觀 2008年，中國MEMS市場增速大幅回落。然而，作為半導體領域最為前沿的產(chǎn)品領域之一，未來，MEMS新型顯示器、MEMS
- 關(guān)鍵字： 汽車電子 MEMS CMOS
ADI最新推出一系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器產(chǎn)品
- ADI最新推出一系列低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器產(chǎn)品，針對低噪聲電源所需的輸入電壓和輸出電壓性能進行了優(yōu)化。ADP1740、ADP1741、ADP1752、ADP1753 和 ADP1754LDO 提供 800mA、1.2A 和 2A 的負載電流，其低 Vin 單軌輸入能改善轉(zhuǎn)換效率，具備出色的 PSSR (電源抑制比)，可支持現(xiàn)今的高性能信號鏈。此外，這些新產(chǎn)品所需的元件數(shù)量較少，改善了散熱性能，從而為醫(yī)療成像設備、服務器、基礎設施、辦公自動化和工業(yè)應用的設計者提供噪聲更低、可靠性更高且尺寸更小的解決
- 關(guān)鍵字： ADI 穩(wěn)壓器 LDO
ST攜手Soitec開發(fā)新一代CMOS圖像感測器技術(shù)
- 全球領先的半導體公司和全球 CMOS 影像技術(shù)領導商意法半導體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領先的工程基板供應商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項獨家合作，以便於為消費電子產(chǎn)品的新一代圖像感測器開發(fā) 300mm 晶圓級背面照度 (BSI) 技術(shù)。 當今最先進的圖像感測器的解析度正不斷提高，而特別是在消費市場，總體減少相機模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發(fā)更小的單個圖元尺寸，同時保持圖元靈敏度以便產(chǎn)生高品質(zhì)的圖像。在開發(fā)新一代圖像感測器時，背面照度是一項能
- 關(guān)鍵字： ST CMOS 圖像感測器
先進FPGA有助于信息包處理
- 初創(chuàng)公司Cswitch推出一種瞄準網(wǎng)絡、無線基站和電信基礎設施應用等信息包處理的新穎的可配置邏輯芯片。該器件由異質(zhì)陣列組成，這一陣列將一排排通用邏輯單元（與傳統(tǒng)FPGA中的非常類似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（內(nèi)容地址存儲器）模塊、ALU（算術(shù)邏輯單元）和專門用于信息包處理的模塊散布在一起。Cswitch公司總裁兼首席執(zhí)行官Doug Laird表示，其目的是滿足日益增長的如下應用：這類應用必須以線速處理打包數(shù)據(jù)，而且要使用比傳統(tǒng)FP
- 關(guān)鍵字： FPGA 信息包處理 Cswitch CMOS
思源科技與聯(lián)華電子支持客制芯片設計
- 電子設計自動化領導廠商思源科技與聯(lián)華電子17日共同宣布，即日起將提供已通過晶圓專工驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯(lián)華電子65奈米制程技術(shù)使用。這項由雙方共同合作發(fā)展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。雙方后續(xù)的合作將專注在提供一系列的Laker-UMC PDK上，使得設計團隊能將不同產(chǎn)品以最快的時程上市。 Laker-UMC PDK采用思源科技的Laker客制IC設計軟件，能支持聯(lián)華電子的65奈米CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術(shù)與低
- 關(guān)鍵字： springsoft CMOS 芯片設計
OmniVision推出全世界最小巧的汽車影像晶片系統(tǒng)
- OmniVision Technologies, Inc.是開發(fā)先進的數(shù)位影像解決方案的領導者，日前所展示的最新 AutoVision 影像解決方案能夠解決汽車業(yè)的需求，為駕駛?cè)酥г畱醚b置(如倒車攝影機及盲點偵測系統(tǒng))提供更生動鮮明的影像。僅 1/4 英吋的超薄型 OV7960 和 OV7962 能提供杰出的微光效能 (<0.01/lux)，為全世界最小的 AutoVision CSP (aCSPTM) 封裝，體積比競爭的 CMOS 裝置可小至 50%。 「我們最新的 AutoVis
- 關(guān)鍵字： OmniVision 封裝 CMOS
歐美科學家聯(lián)手取得硅芯片光通訊技術(shù)突破
- 一個由歐、美兩地研究人員所組成的團隊，讓達到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè)，并為全球不斷增加的網(wǎng)絡信息流量獲得緩解之道。 該研究團隊成員分別來自瑞士ETH大學、比利時研究機構(gòu)IMEC、美國Lehigh大學，以及德國Karlsruhe大學;他們成功制造出一種具備高度非線性特征、超高速的光波導(opticalwaveguide)架構(gòu)。 由于在這類組件中，光子信號不必再轉(zhuǎn)換成電子信號，因此被視為是達成全光學信號傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。為了達成這個目標，研究人員采用S
- 關(guān)鍵字： 硅芯片 CMOS
美國研制出納米級憶阻器芯片
- 美國密歇根大學科學家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構(gòu)成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米快報》(Nano Letters)上的此項研究成果將有可能改變半導體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器是一種電腦元件，可在一簡單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復性問題，所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導體，是一種大規(guī)模應用于集成電路芯片制造的原料。
- 關(guān)鍵字： CMOS 芯片 憶阻器
3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計
- 設計了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對片上電感和射頻開關(guān)進行優(yōu)化設計以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測試結(jié)果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結(jié)果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
- 關(guān)鍵字： CMOS GHz VCO LC
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