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IBM將與法國LETI聯(lián)手開發(fā)22nm制程技術(shù)
- IBM與法國原子能署下屬的電子資訊科技實驗室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發(fā)半導(dǎo)體與納米電子相關(guān)技術(shù)。雙方將就22nm制程工藝有關(guān)的高級材料，設(shè)備及制造工藝方面進(jìn)行合作，合約期為5年。 研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠，Nanotech/意法半導(dǎo)體公司在法國Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設(shè)施中展開。而來自CEA/LETI的一支研究團隊則將在Albany Nanotech公司開展這項研究工作。CEA/LETI將不會加入I
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm
無線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢
- 采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點。而最近發(fā)布的CMOS時鐘發(fā)生器主要是針對有線應(yīng)用設(shè)計的，可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點使其能夠非常容易地擴展到更加廣泛的無線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過它們就能夠設(shè)計出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 趨勢 頻率 CMOS 設(shè)備 無線
低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計與優(yōu)化
- 分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù)：實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對其固有不足，提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計方法。
- 關(guān)鍵字： CMOS 低功耗 低噪聲 放大器設(shè)計
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