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          CCD和CMOS圖像傳感器性能的幾大技術(shù)指標

          • CCD和CMOS是圖像傳感器的兩個主要類別,都有各自的應(yīng)用領(lǐng)域。但近年來,CMOS傳感器逐步吞噬了CCD的市場。為什么CMOS傳感器如此受歡迎呢?評價一款圖像傳感器性能的技術(shù)指標有哪些?下面來為大家詳細說明。CCD和CMOS圖
          • 關(guān)鍵字: 性能  技術(shù)指標  傳感器  圖像  CMOS  CCD  

          淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

          • 標簽:CMOS CCD無論任何產(chǎn)品,品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣,而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系,CCD和CMOS也既如此。基本組成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬m
          • 關(guān)鍵字: 原理  差異  結(jié)構(gòu)  內(nèi)部  CMOS  CCD  淺析  

          基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路設(shè)計

          • 本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對其各單元組成電路的設(shè)計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬,結(jié)果表明,鋸齒波
          • 關(guān)鍵字: CMOS  1.0  工藝  鋸齒波    

          采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計

          • O 引言  電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,并且每引進一次新的制造技術(shù)會導(dǎo)致漏電流
          • 關(guān)鍵字: CMOS  單相  乘法器  能量回收  

          CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

          • 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場預(yù)計將以每年兩位數(shù)的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進行精確測量并報告消耗的電量,智能電表比機電式電表復(fù)雜,但更加注重測量數(shù)據(jù)的完
          • 關(guān)鍵字: CMOS  數(shù)字隔離器  智能電表  中的應(yīng)用    

          基于CMOS電路的IDDQ測試電路設(shè)計

          • 引言  測試CMOS電路的方法有很多種,測試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測試,即通常所說的功能測試。功能測試可診斷出邏輯錯誤,但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路,互連橋短路
          • 關(guān)鍵字: CMOS  IDDQ  電路  測試    

          小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420

          • XC6420系列是實現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電壓  調(diào)整器IC  

          基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

          • 1 概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC),它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
          • 關(guān)鍵字: CMOS  5510  TLC  工藝    

          單軸MEMS偏航陀螺儀結(jié)構(gòu)應(yīng)用分析

          • 陀螺儀能夠測量沿一個軸或幾個軸運動的角速度,而MEMS加速計則能測量線性加速度,因此這兩者是一對理想的互補技術(shù)。事實上,如果組合使用加速計和陀螺儀這兩種傳感器,系統(tǒng)設(shè)計人員可以跟蹤并捕捉三維空間的完整運動
          • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  分析  結(jié)構(gòu)  陀螺  MEMS  單軸  

          淺談MEMS存儲設(shè)備的管理技術(shù)

          • 摘要:MEMS存儲設(shè)備相對于磁盤,在性能、可靠性和功耗等方面都具有優(yōu)勢。本文主要分析了MEMS存儲設(shè)備的物理結(jié)構(gòu)對0s管理的影響,主要從請求調(diào)度算法、數(shù)據(jù)布局、設(shè)備故障管理進行了探討和研究。關(guān)鍵詞:MEMS;OS管理
          • 關(guān)鍵字: MEMS  存儲設(shè)備  管理技術(shù)    

          臺積電雄居全球純MEMS代工廠商榜首 營收激增200%

          •   去年臺積電是全球最大的純MEMS器件代工廠商,營業(yè)收入劇增201%,不但奪取了競爭對手的市場份額,而且創(chuàng)造了新的收入來源。   據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS競爭分析報告,2011年臺積電相關(guān)營業(yè)收入達到5300萬美元,遠高于2010年的1760萬美元。該公司生產(chǎn)多種暢銷的MEMS傳感器和激勵器,包括3軸陀螺儀、加速計、MEMS麥克風、壓力傳感器、片上實驗室和噴墨打印頭。   在12家提供MEMS制造業(yè)務(wù)的純代工廠商中,臺積電名列前茅。除了臺積電以外,去年MEMS營業(yè)收入增長的其它代工廠商
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  MEMS  

          CMOS與CCD圖像傳感器特性對比分析

          • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
          • 關(guān)鍵字: 對比  分析  特性  傳感器  CCD  圖像  CMOS  

          CMOS圖像傳感器再見增長

          • 10年以前拍照手機盛行,加上便攜筆記本電腦和個人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機,促使CMOS圖像傳感器銷售獲得巨大增長,2006年登頂,達45億美元。但隨后產(chǎn)品市場走向成熟,制造商激增,圖像傳感器特別是用于拍照手機的產(chǎn)品供過于求而陷入困境,增速不穩(wěn),起伏不定,直至2011年才重新走上增長的道路。
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  201207  

          國產(chǎn)化衛(wèi)星/MEMS組合導(dǎo)航模塊的設(shè)計實現(xiàn)

          • 摘要:設(shè)計一種嵌入式衛(wèi)星/MEMS組合導(dǎo)航模塊。該模塊采用北京時代民芯科技有限公司的國產(chǎn)化GPS/BD多模導(dǎo)航接收機,實現(xiàn)與MEMS慣性器件的軟硬件融合。基于工程化應(yīng)用,提出一種高可靠擴展卡爾曼濾波器濾波算法,實時校準各種誤差項,改善組合導(dǎo)航模塊性能。在靜態(tài)情況下,模塊姿態(tài)角誤差小于0.2°,航向角誤差小于0.5°。在動態(tài)情況下,姿態(tài)角與航向角誤差小于1°,如果衛(wèi)星導(dǎo)航突然中斷,將能持續(xù)30秒,定位精度維持在20米內(nèi)。
          • 關(guān)鍵字: GPS/BD  MEMS  北斗導(dǎo)航  201207  

          CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

          • 互補型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應(yīng)用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
          • 關(guān)鍵字: CMOS  成像技術(shù)  照相功能  
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          cmos-mems介紹

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