ddr2-400 文章 進入ddr2-400技術(shù)社區(qū)
DRAM報價高檔不墜 爾必達8季以來首次獲利
- 日系DRAM大廠爾必達(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營收960億日圓(約10.66億美元)，營業(yè)利益5億日圓，加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位， DRAM廠營運狀況大幅轉(zhuǎn)好，更開始進入獲利狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，如果DRAM價格2美元以上的水平可以再維持1季，爾必達即不需要獲得日本政府基金的補助款，屆時美光向美國WTO告狀一事，也不會成為困擾。2009年爾必達打算跳過50奈米制程，直接投資40奈米制程生產(chǎn)線，成本大幅降低，可正式與三星電子
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM DDR2
DRAM價格再攻新高點！ 力晶想為瑞晶贖身
- 日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因為債務(wù)問題，將瑞晶持股賣給爾必達時，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回，因此近期力晶計劃向爾必達提出買回瑞晶的持股，惟一切問題都卡在錢關(guān)，力晶營運開始有現(xiàn)金流入后，將手上資金大力放在增加產(chǎn)能用途，加上2010年初到期的ECB要償還，力晶是否可在「買回期限」籌到錢為瑞晶贖身，市場相當(dāng)關(guān)切。 隨著DDR2價格大漲，力晶營運度過最艱難的時期，每月開始有
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DRAM DDR2
留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個月
- 據(jù)摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱，DDR2芯片的價格未來將繼續(xù)上漲，并很有可能會超過DDR3芯片的售價，不過漲價期應(yīng)該不會超過6個月，而DDR3芯片則將在這段時間內(nèi)漸成市場主流。據(jù)Wang分析，驅(qū)動最近DDR2芯片價格上漲的主要因素是各大內(nèi)存芯片廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)而投放到DDR3芯片的生產(chǎn)上。三星，海力士，爾必達以及鎂光幾家大廠均在積極抬高DDR3芯片的產(chǎn)能，同時壓低DDR2芯片的產(chǎn)能。 盡管如此，如果中國大陸國慶節(jié)期間DDR2芯片的市場需求不如預(yù)期的強勢，那么DDR2芯片的價格仍有
- 關(guān)鍵字： DDR2 內(nèi)存芯片 DDR3
4大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線
- DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個臺塑集團的DRAM事業(yè)來看，已進入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。 4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM DDR2
8月份內(nèi)存芯片價格繼續(xù)上揚 達到盈利水平
- 自今年初芯片價格達到數(shù)年來的最低點后開始上揚，8月份繼續(xù)上揚，終于達到盈利水平。 Gartner報告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價格上漲了18.9%，為每個1.58美元;老款芯片DDR2合同價格上漲了13.7%，為每個1.45美元。 內(nèi)存芯片價格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節(jié)即將來臨，許多學(xué)生會攜新筆記本返校或其父母購買臺式機。因返校季節(jié)成為銷售旺季，會使內(nèi)存市場價格上揚，有時價格會一直上揚至12月底，年底將是圣誕銷售旺季。 今年微軟Wi
- 關(guān)鍵字： 奇夢達 內(nèi)存 DDR3 DDR2
8月份內(nèi)存芯片價格繼續(xù)上揚 達到盈利水平
- 自今年初芯片價格達到數(shù)年來的最低點后開始上揚，8月份繼續(xù)上揚，終于達到盈利水平。 Gartner報告指出，8月1Gb DDR3芯片合同價格上漲了18.9%，為每個1.58美元;老款芯片DDR2合同價格上漲了13.7%，為每個1.45美元。 內(nèi)存芯片價格上漲正值PC廠商生產(chǎn)并向全球市場發(fā)送PC之際。對許多國家而言，返校季節(jié)即將來臨，許多學(xué)生會攜新筆記本返校或其父母購買臺式機。因返校季節(jié)成為銷售旺季，會使內(nèi)存市場價格上揚，有時價格會一直上揚至12月底，年底將是圣誕銷售旺季。 今年微軟Wi
- 關(guān)鍵字： 奇夢達 內(nèi)存芯片 DDR3 DDR2
2009第二季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收漲幅高達27.1%
- 根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計，2009年第二季，DRAM合約價在減產(chǎn)效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，計算機系統(tǒng)廠商在低價持續(xù)拉高庫存水位下，第二季DRAM合約季均價上漲23%?，F(xiàn)貨價格亦在減產(chǎn)效應(yīng)下，供給吃緊，DDR2 1Gb 667MHz 現(xiàn)貨價格在五月一度站上1.27美元。許多市場人士樂觀期待DDR2 1Gb在六月底站上1.5美元。但在五月下旬，傳出某DRAM廠商釋出低價顆粒到現(xiàn)貨市場，而使六月現(xiàn)貨價格維持在1.05至1.19間盤整。第二季DDR2 1Gb 667MHz 現(xiàn)貨季均價上漲27%，約1.12美元。 第二季
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM DDR2
三星DRAM藏伏筆 臺廠忐忑難安
- 過去一向扮演DRAM市場領(lǐng)頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價上漲過程中，卻表現(xiàn)異常的沈默，存儲器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進調(diào)漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價格上漲超過1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺廠，再度有喘息機會，加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠開始低調(diào)增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場傳統(tǒng)旺季，這不僅讓整體DRAM市場彌漫著相當(dāng)詭異氣氛，亦讓臺DRAM廠對
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 晶圓 DDR2
DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設(shè)計(08-100)
- DDR2(Double Data Rate 2，兩倍數(shù)據(jù)速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織開發(fā)的基于DDR SDRAM的升級存儲技術(shù)。 相對于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個時鐘周期完成兩次數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶匦?，但DDR2 SDRAM在數(shù)據(jù)傳輸率、延時、功耗等方面都有了顯著提高，而這些性能的提高，主要來源于以下技術(shù)的提升：ODT，Post CAS，4n數(shù)據(jù)預(yù)取，封裝等。
- 關(guān)鍵字： 思科 DDR2 SDRAM
ADI公司的新一代SHARC 處理器滿足專業(yè)音頻的所有需求
- 極高性能的浮點DSP，比以往的 SHARC處理器性能提高一倍，具有硬件加速器與音頻應(yīng)用提升特性: 片上存儲器增加60%以上，提供DDR2 SDRAM外部存儲器接口及連接端口 中國 北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出SHARC® ADSP-21469，以幫助開發(fā)人員重新定義專業(yè)系統(tǒng)中的逼真音響。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采樣速率：專業(yè)數(shù)字音頻應(yīng)用正在不斷逼
- 關(guān)鍵字： DSP SHARC處理器 DDR2 SDRAM ADI
DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 引言 DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)相比，雖然采用時鐘的上升／下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有2倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即：4 bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取)。即就是，DDR2內(nèi)存每時鐘能以4倍的外部總線速度讀／寫數(shù)據(jù),并且能以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。 此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝,而不是目前DDR廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝,FB
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 內(nèi)存 DDR2 存儲器
DDR3：千呼萬喚始出來 尤抱琵琶半遮面
- 內(nèi)存是PC機重要的部件之一，一般而言，每代內(nèi)存規(guī)格的生命周期為3-5年，如今DDR2規(guī)格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進入了其生命的最后歷程。 隨著電腦技術(shù)以及應(yīng)用軟件的不斷進步，在各種應(yīng)用當(dāng)中， DDR2內(nèi)存無論在性能還是功耗上對現(xiàn)今以及未來的需求都顯的有些捉襟見肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現(xiàn)階段以及今后的發(fā)展藍圖中，我們可以看見DDR3內(nèi)存正逐漸取代DDR2。 作為即將取代DDR2規(guī)格內(nèi)存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進能為我們帶來什么好處呢？
- 關(guān)鍵字： DDR3 Windows Vista 功耗 內(nèi)存 DDR2
爾必達宣布減產(chǎn)內(nèi)存芯片產(chǎn)能10%
- 繼力晶在本周一宣布減產(chǎn)10-15%后，日本內(nèi)存芯片廠商爾必達在昨天正式對外宣布，自9月中旬起將正式減產(chǎn)總產(chǎn)能10%，全球每月內(nèi)存芯片(DRAM)總供給量可望因此減少約1.5%。 力晶前天對外正式宣布將減少10-15%的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)量，即相當(dāng)于每個月將近1.5萬片的12吋晶圓，同時推遲新廠建設(shè)日程，希望以此舒緩全球嚴(yán)重供過于求的形勢。 作為力晶的重要策略合作伙伴，爾必達昨天的聲明對于即將進入第四季傳統(tǒng)淡季的內(nèi)存芯片行業(yè)來說，可能是個好消息，尤其爾必達是國際大廠之一。雖然兩家公司的
- 關(guān)鍵字： 爾必達 力晶 內(nèi)存芯片 DDR2
存儲之危 Computex 08是否意味著漲價
- Computex除了是IT界的盛會外，還是內(nèi)存廠商的盛會。因為臺灣上有南亞、力晶等為首的內(nèi)存顆粒廠商坐鎮(zhèn)，下有威剛、宇瞻、金邦等著名品牌活躍。除此之外，海盜船、金士頓等美資企業(yè)也都非常重視臺北電腦展。去年的展會上，這些內(nèi)存廠商給我們留下了非常深刻的印象。那么在內(nèi)存面臨危機的2008年，Computex是否會預(yù)示存儲漲價呢？ DDR2內(nèi)存價格的不斷壓低，使得本身利潤巨大的存儲廠商舉步維艱。早些時候，Hynix、三星等顆粒廠商曾和下有品牌廠商商討如何提高存儲價格來提升利潤，但我們從終端市場上卻并沒有看
- 關(guān)鍵字： Computex DDR2 內(nèi)存 固態(tài)硬盤
Microchip推出用于DDR2及DDR3 DIMM模塊的SPD EEPROM
- Microchip Technology Inc.宣布推出全新系列串行存在檢測 (Serial Presence Detect，簡稱SPD) EEPROM器件。它們既能支持現(xiàn)今高速個人計算機中最新的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR2) DIMM模塊，還可支持未來的DDR3 DIMM模塊。新器件編號分別為34AA02、34LC02以及34VL02 (34XX02)，符合SPD EEPROM器件最新的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，其中34VL02可支持業(yè)界任何一款SPD EEPROM 的最低工作電壓范圍(1.5V至3.6V) 。
- 關(guān)鍵字： Microchip DDR2
ddr2-400介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr2-400!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr2-400的理解，并與今后在此搜索ddr2-400的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr2-400的理解，并與今后在此搜索ddr2-400的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ddr2-400相關(guān)帖子
ddr2-400資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473