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	ddr3
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20％
          
                                                            
            
                    	
          • 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒欤暮蛢r格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預(yù)計(jì)明年
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲  DDR3  三星  SK海力士                          
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          「落后」的內(nèi)存要大幅漲價，中國廠商迎來商機(jī)
          
                                                            
            
                    	
          • 當(dāng)下，AI 服務(wù)器系統(tǒng)和應(yīng)用最為火爆，其對 DDR5 和 HBM 的需求量大增，因此，在全球內(nèi)存市場，DDR5 和 HBM 成為大宗存儲器市場的寵兒。AI 大模型持續(xù)迭代升級，參數(shù)持續(xù)增長，大模型的參數(shù)規(guī)模越大，算力負(fù)擔(dān)越重，而 AI 服務(wù)器是算力的核心。2023 年，AI 服務(wù)器出貨量近 120 萬臺，年增 38.4%，占整體服務(wù)器出貨量的 9%，按照這個勢頭發(fā)展下去，2026 年將占到 15% 的市場份額。更多的大模型參數(shù)需要大容量、高速的內(nèi)存支持。針對 AI 服務(wù)器的高性能要求，更強(qiáng)大的內(nèi)存——DD
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR3                          
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          第三季利基型DRAM價格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報價水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu)，報價預(yù)期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內(nèi)存價格走勢預(yù)估將持平?！　DR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內(nèi)存主流　　就產(chǎn)品應(yīng)用種類觀察，首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺。不過
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          • 關(guān)鍵字：
                        DRAM  DDR3                          
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          內(nèi)存狂漲價：臺灣南亞量產(chǎn)DDR3/4
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內(nèi)存價格持續(xù)上漲，主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應(yīng)嚴(yán)重不足，而且整個2018年都不會緩和。
　　其實(shí)在臺灣還有一家DRAM廠商南亞科技，只是市場規(guī)模偏小而已。DRAM市場需求如此旺盛的情況下，南亞也積極動手了，首先已經(jīng)開始量產(chǎn)20nm4GbDDR3顆粒，今年第四季度還會量產(chǎn)20nm8GbDDR4。
　　DDR4的時代為何還要大規(guī)模生產(chǎn)DDR3?主要還是DDR4產(chǎn)能即便再怎么擴(kuò)充，也需要時間，一時半會不可能緩解，而在很多領(lǐng)域，DDR3仍然有很大的需求。
　　最近不少主板廠商
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存  DDR3                          
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          DDR3與DDR2內(nèi)存區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好，而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限當(dāng)市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR3  DDR2  內(nèi)存  CPU                          
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          DDR4內(nèi)存的未來
          
                                                            
            
                    	
          •      我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平.
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR4內(nèi)存  Intel  DDR3-2133                          
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          DDR3存儲器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點(diǎn)，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器是非常重要的。視屏處理應(yīng)用就是一個很好的示例，說明了DDR3存儲器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR3  存儲器  IP  接口控制器                          
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          DDR4陣營持續(xù)擴(kuò)大 將首度超越DDR3
          
                                                            
            
                    	
          • 　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。
　　調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR4  DDR3                          
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          FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何實(shí)現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DI
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          • 關(guān)鍵字：
                        SDRAM  FPGA  DDR3  接口設(shè)計(jì)                            
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          基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          •  引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片Micron公司的MT41J128M16 DDR3  SDRAM芯片為硬件平臺，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。1 總體架構(gòu)設(shè)計(jì)機(jī)載視頻圖形顯示系
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲器控制  多端口  幀地址  DDR3  FPGA                          
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          基于FPGA的DDR3控制器設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 基于FPGA的DDR3控制器設(shè)計(jì),摘要 介紹了DDR3 SDRAM的技術(shù)特點(diǎn)、工作原理，以及控制器的構(gòu)成。利用Xilinx公司的MIG軟件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上，實(shí)現(xiàn)了控制器的設(shè)計(jì)方法，并給出了ISim仿真驗(yàn)證結(jié)果，驗(yàn)證了該設(shè)計(jì)方案的可行性。DDR3 SDRAM
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          • 關(guān)鍵字：
                        FPGA  DDR3 SDRAM控制器  MIG  ISim                          
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          iSuppli明年第2季DDR3躍登DRAM市鮒髁
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) iSuppli 的最新預(yù)測，DDR3 (Double Data Rate 3) 標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球  DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。以單位出
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          • 關(guān)鍵字：
                         微處理器  DDR3  Nehalem	                          
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          Xilinx MIG IP核的研究及大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的實(shí)現(xiàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 為了使DDR3 SDRAM更方便、多樣地用于工程開發(fā)中，本文對XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核進(jìn)行了分析研究，并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的邏輯設(shè)計(jì)。通過對系統(tǒng)中各模塊的作用及相互間關(guān)系的研究，發(fā)現(xiàn)該控制器256位接口對工程開發(fā)十分不便，通過創(chuàng)建FIFO控制系統(tǒng)和讀寫接口FIFO的方式，將接口轉(zhuǎn)換為64位。該方案對控制核重新構(gòu)建并上板測試，均符合高速數(shù)據(jù)傳輸緩存的要求，使DDR3成為一個大容量且可控的高速FIFO。
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          • 關(guān)鍵字：
                        MIG核  FIFO  DDR3 SDRAM  201608                          
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          基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)主要實(shí)現(xiàn)2D圖形的繪制，構(gòu)成各種飛行參數(shù)畫面，同時疊加實(shí)時的外景視頻。由于FPGA具有強(qiáng)大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點(diǎn)，基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。
　　與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此選擇DDR3 SDRAM作為機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)的外部存儲器。
　　本文以
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          • 關(guān)鍵字：
                        FPGA  DDR3                          
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          小改變大不同 揭秘DDR4內(nèi)存與DDR3區(qū)別
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來，至今已經(jīng)走過了8個年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來說，內(nèi)存發(fā)展可謂相當(dāng)緩慢。不過好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，起跳頻率達(dá)到2133MHz，標(biāo)志著DDR3時代的終結(jié)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR4  DDR3                          
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		      			      			      	目錄概述
設(shè)計(jì)
發(fā)展
DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) 
 
 
概述
　　針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下：
　　(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 
　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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