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	ddr2
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方...
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          • 關(guān)鍵字：
                        USB2.0  DDR2  數(shù)據(jù)采集                          
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          基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設(shè)計分析
          
                                                            
            
                    	
          • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，能夠在時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，可以在與SDRAM相同的總線時鐘頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進行數(shù)據(jù)傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Cyclone  FPGA  DDR2  III                            
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          ASIC原型驗證板DDR2 速率再攀高峰
          
                                                            
            
                    	
          • 　　唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗證平臺半年來在用戶項目使用中，從性能、價格、穩(wěn)定性來說已得到了用戶的很高評價，當然，唐芯微人還是不失抓住每一次售后機會，把握用戶提出的問題和建議，配合用戶完成項目的同時對這款產(chǎn)品進行一次次優(yōu)化修正，不但用戶對唐芯微電子售后服務(wù)有了更進一步體會，而且?guī)醉椉夹g(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
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          • 關(guān)鍵字：
                        ASIC  DDR2                          
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          基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計與FPGA實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          •     摘要： 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)， 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案， 同時提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實現(xiàn)方法。

            0 引
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          • 關(guān)鍵字：
                        DDR2  FPGA  USB  數(shù)據(jù)采集                            
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          基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計與仿真
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計與仿真, 摘  要： 介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進行仿真分析，給出了一個具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計過程和方法?！　‖F(xiàn)代電子設(shè)計和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展
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          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  仿真  系統(tǒng)  嵌入式  Hyperlynx  DDR2  基于                          
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          基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計,　　本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗證的參考設(shè)計來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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          • 關(guān)鍵字：
                        接口  控制器  設(shè)計  存儲器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  基于                          
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          美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的 理想存儲解決方案。
　　美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過渡到更先進的 50 納米制程節(jié)點， 反映出美光對市場所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  50納米  DDR2                          
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          鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。
　　該芯片采用低電壓DDR2標準制造，可與英特爾開發(fā)代號Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條，實現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。
　　得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統(tǒng)的電源需求。
　　鎂光預計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣，年末之前量產(chǎn)出貨。
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          • 關(guān)鍵字：
                        鎂光  50納米  DDR2                          
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          inSpectrum：內(nèi)存/閃存芯片現(xiàn)貨價格本周出現(xiàn)下降
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)inSpectrum市調(diào)機構(gòu)的報告顯示，由于本周內(nèi)存/閃存芯片的現(xiàn)貨市場需求量有所下滑，因此各大存儲芯片廠商均對這些產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格進行了調(diào)整。 其中1Gb密度DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格下調(diào)了5-6%，均價于4月30日下午達到2.62美元價位;而1Gb DDR3內(nèi)存芯片的價格則下跌了3%，均價2.85美元。

　　近期內(nèi)存芯片的市場需求表現(xiàn)較為弱勢，加上又沒有其它可以驅(qū)動芯片價格上漲的因素存在，而早先人們預計五一節(jié)假日期間大陸市場可能會發(fā)生的內(nèi)存/閃存芯片價格回彈現(xiàn)象也由于實際的購買量并沒有實
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲芯片  閃存芯片  DDR2                          
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          威剛董事長預計DRAM市場二季度起出現(xiàn)供應(yīng)短缺
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)臺灣媒體報道，威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開始，動態(tài)隨機存儲器(DRAM)市場可能會面臨供應(yīng)短缺問題，到今年下半年，供需缺口可能會達到10%。
　　據(jù)報道，很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3，這推動DDR-2芯片價格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。
　　報道稱，自春節(jié)假期結(jié)束以來，DDR2現(xiàn)貨價格已上漲6.8%。
　　威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤驅(qū)動器。
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          • 關(guān)鍵字：
                        威剛  DRAM  DDR2                          
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          臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存(DRAM)補貨潮號角響起，DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會出現(xiàn)缺貨潮。
　　威剛董事長陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實缺工問題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會面臨這個問題。
　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報價，1Gb DDR2有效測試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價2.35美元，創(chuàng)近一個多月新
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          • 關(guān)鍵字：
                        茂德  DDR2  DRAM                          
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          DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3
          
                                                            
            
                    	
          • 　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。
　　Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。
　　Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。
　　根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
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          DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。
　　但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。
　　DDR3來臨
　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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          臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。
　　另一家DRAM大廠
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                        DRAM  DDR2  DDR3                          
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          DDR2乏人問津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。
　　臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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	共64條
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          ddr2介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預?。Q句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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