ddr3 文章 進(jìn)入ddr3技術(shù)社區(qū)
爾必達(dá)蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能
- 日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會，說明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達(dá)2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作，日廠在臺灣存儲器領(lǐng)域勢力越來越龐大，不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達(dá)可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 爾必達(dá)經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元?dú)庵饾u恢復(fù)后，
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iSuppli：DDR3將成DRAM市場主流，市占一半以上
- 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。 據(jù)國外媒體報(bào)道，以單位出貨量計(jì)算，DDR3明年第2季的市占率將達(dá)50.9%，較今年第2季的14.2%大幅竄升。 iSuppli另預(yù)估，至2010年底，DDR3出貨市占率將達(dá)到71%。 iSuppli分析師Mike Howard于報(bào)告中寫道，DDR3的速度比DDR2快50%，耗電量則低30%。他強(qiáng)調(diào)：&ldquo
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iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
- 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) iSuppli 的最新預(yù)測，DDR3 (Double Data Rate 3) 標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球 DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。 以單位出貨量計(jì)算，DDR3 明年第 2 季的市占率將達(dá) 50.9%，較今年第 2 季的 14.2% 大幅竄升。 iSuppli 另預(yù)估，至 2010 年底， DDR3 出貨市占率將達(dá)到 71%。 iSuppli 分析師霍華 (Mike Howard) 于報(bào)告中寫道，DDR3 的速度比 DD
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DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻
- 市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競賽，這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去;自此，DRAM價格持續(xù)下挫，過去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數(shù)DRAM廠商也都難逃嚴(yán)重虧損的命運(yùn)。 其中，德國DRAM制造商奇夢達(dá)更因不堪虧損，于2009年第一季宣布破產(chǎn)，自此退出DRAM市場。正因如此，新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出，被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關(guān)鍵。 DIGITIMES Research指出，事
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DDR內(nèi)存合約價格大漲 南科華亞科受惠
- 據(jù)臺灣媒體報(bào)道，11月上旬動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)合約價出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價漲幅也達(dá)13.9%，預(yù)估11月下旬DDR2合約價可望持續(xù)攀高，以合約市場為主的南科、華亞科預(yù)估受惠較大。 集邦科技昨最新報(bào)價，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價達(dá)2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價達(dá)2.25美元，大漲15.98%。 另DDR2 2Gb合約均價從36美元上漲到41美元，漲幅達(dá)13.9
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DRAM合約價大漲，今年沒淡季
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機(jī)向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認(rèn)為，隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3平臺，未來DDR3現(xiàn)貨及合約價將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場DDR3報(bào)價亦展開攻勢，一舉站上3美元大關(guān)。 DRAM價格11月上旬漲幅超乎預(yù)期，2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈，大漲19~21%，平均價
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爾必達(dá)和茂德簽署DRAM代工協(xié)議
- 茂德(ProMos)已和爾必達(dá)(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達(dá)將提供先進(jìn)的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達(dá)DRAM代工服務(wù)。 茂德表示，代工服務(wù)以爾必達(dá)最先進(jìn)的1G DDR3產(chǎn)品為主，預(yù)計(jì)2010年上半完成試產(chǎn)，2010年下半大量生產(chǎn)。此外，爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達(dá)3.5萬片12寸晶圓為爾必達(dá)制造芯片，同時，采用65奈米制程技術(shù)。 茂德董事長暨總經(jīng)理陳民良表示，爾必達(dá)在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達(dá)40.7％
- 根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3相當(dāng)積極，導(dǎo)致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達(dá)31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達(dá)30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
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金士頓：看好明年NAND Flash市場前景
- 遠(yuǎn)東金士頓(Kingston)董事長蔡篤恭指出，目前PC OEM廠對于DDR2和DDR3貨源都很缺，產(chǎn)業(yè)鏈庫存水位不高，預(yù)計(jì)到2009年底前都沒有淡季，展望2010年存儲器產(chǎn)業(yè)，NAND Flash市場受惠終端應(yīng)用多元化發(fā)展，包括手機(jī)應(yīng)用起飛和固態(tài)硬碟(SSD)應(yīng)用浮出水面，加上NAND Flash端的供應(yīng)商有限，預(yù)計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)可優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，而DRAM產(chǎn)業(yè)供不應(yīng)求偏向是短期產(chǎn)能不足，DRAM價格在2.5美元上下是健康的水位，對PC廠、DRAM廠雙方是可接受的價位。 蔡篤恭
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南亞科、華亞科沖刺50納米 明年資本支出逾600億新臺幣
- 臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計(jì)2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計(jì)將達(dá)640億元，主要用于50納米制程。 南亞科和華亞科第3季營運(yùn)表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對于先
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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景
- 隨著DRAM價格開始反彈，南亞科和華亞科財(cái)報(bào)虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價可持續(xù)成長，更看好PC市場因?yàn)閂ista因素，累計(jì)整整3年未換機(jī)的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當(dāng)時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達(dá)到史上最高紀(jì)錄。 白培霖指出，2009年DRAM合約價從8月開始，每個月以成長20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 據(jù)報(bào)道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產(chǎn)。 此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場份額已經(jīng)達(dá)到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場上的主流。 根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、超級計(jì)算機(jī)或
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留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個月
- 據(jù)摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱，DDR2芯片的價格未來將繼續(xù)上漲，并很有可能會超過DDR3芯片的售價，不過漲價期應(yīng)該不會超過6個月，而DDR3芯片則將在這段時間內(nèi)漸成市場主流。據(jù)Wang分析，驅(qū)動最近DDR2芯片價格上漲的主要因素是各大內(nèi)存芯片廠商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)而投放到DDR3芯片的生產(chǎn)上。三星，海力士，爾必達(dá)以及鎂光幾家大廠均在積極抬高DDR3芯片的產(chǎn)能，同時壓低DDR2芯片的產(chǎn)能。 盡管如此，如果中國大陸國慶節(jié)期間DDR2芯片的市場需求不如預(yù)期的強(qiáng)勢，那么DDR2芯片的價格仍有
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ddr3介紹
目錄概述
設(shè)計(jì)
發(fā)展
DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn)
概述
針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較小：吸取了DDR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度 [ 查看詳細(xì) ]
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